O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi I. Karimov nomidagi toshkent davlat texnika universiteti “elektronika va avtomatika” fakulteti

Nazorat masalalarining javoblari.
11. Rпр = 16 Ом, 12.Rобр = 5 МОм. 13. 6 В. 14. Д210, n = 2, Pт =
= 15 Вт. 15. 2 А. 16. U2 = 74 В, КД202Д. 17. Cф = 200 мкФ, Lф = 3,92 Гн.
18. а) 45°; б) 135°. 19. Umin = 15,5 В, Umax = 30 В. 20. 0,25

2.Tranzistorlar va kuchaytiruvchi kaskadlar
Masalalar yechimlari bilan
Masala 1. BI qutubli tranzistorni ГT108A umumiy emitterli sxema bo’yicha ulangan statik harahteriktikasi bo’yicha (rasm 1,a,b), tinch holat nuqtasi uchun (I_KП=10mA,U_KЭП=5V) h parametrlarini aniqlang va ornini bosuvchi sxemasini chizing.

Rasm 1
Yechilishi. I_KП=10mA,U_KЭП 5V larga ko’ra chiqish haraktiristikalaridan tinch holat niqtasini yani P1 Qayd etamiz. Bunga I_БП=0,1 mA toki mos keladi .

I_БП=0,1mA va U_КЭП=5V bo’yicha kirish harakteristikalari bo’yicha P2 nuqtani topamiz. P 2 nuqtada harakteristikaga tegadigan chiziqni o’tkazamiz. Uchburchakdan abc ni topamiz:

I_Б=0,1 mA bo’lganida kirish haraktеristikalarini siljishiga ko’ra aniqlaymiz:

Chiqish harakteristikalari bo’yicha topamiz:


Rasm 2
h₁₂=0 Bo’lganida tranzistorni joylashish sхemasi rasm 2 da keltirilgan.
Masala 2. Maydon tranzistorini chiqish statik haraktiristikasi rasm 3 a da keltirilgan U_СИП=8V U_ЗИП=-3V bo’lganida tranzistorni haraktiristikasini tikligi va ichki qarshiligini aniqlang. Tranzistorni joylashish sxemasini chizing.
Yechilishi. Harakteristikalarda tinch holat nuqtalarini belgilaymiz U_СИП =8V va U_3ИП =-3V harakteristikalari bilan.
U_СИП =8V o,zgarmas bo’lganida ∆U_ЗИ= ± 1 o’zgarishida harastеristikani tikligini topamiz

Ichki qarshilik

Rasm 3
Tranzistor ishlagan vaqtida haraktiristikani to’g’ri chiziqli bo’lagidan foydalaniladi tranzistorning joylashuv sxemasi rasm 3 b da ko’rsatilgan.