O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi buxoro davlat universiteti magistratura bo’limi Qo’lyozma huquqida udk: sharopov farrux qobilovich harorat ta’sirida maydon tranzistorining elektro-fizik parametrlari

Tadqiqot maqsadi va vazifalari. Maydon tranzistorining issiqlik sezgirligini o‘rganish, kanal yopilish rejimida maydon tranzistoriga issiqlik ta’sirini o’rganish orqali maydon tranzistorining yangi funksional imkoniyatlarini aniqlash.
Tadqiqotning ilmiy yangiligi. Maydon tranzistorining kanal yopilish rejimida tranzistorning termosezgirlik mexanizmi aniqlangan bo‘lib, stok-zatvorni yopuvchi kuchlanishdan istok-zatvor o‘tishda kuchlanish tushishi paydo bo‘lib, yorug‘likning intensivligi oshishi bilan istokda tushayotgan kuchlanish (istok-zatvor qarshiligi) kamayishi va stokda hosil bo‘luvchi tok oshib borishi, maydoniy tranzistorning tenzosezgirlik mexanizmi, issiqlik ta’sirida kanal o‘tkazuvchan qismining zatvor p-n-o‘tishi hajmiy zaryadi qalinligiga nisbatan kamayishi hisobiga kanal yopilish kuchlanishining kamayishi tajribada aniqlangan.
Tadqiqotning asosiy masalalari va farazlari. Tadqiqotning asosiy masalalari shundan iboratki hozirgi kunda textika sohasining keskin rivojlanishi sababli yarimo’tkazgichlar sohasining rivojlanishiga olib keldi. Yarimo’tkazgichli maydon tranzistorining kanal yopilishi rejimida yangi funksional imkoniyatlarini aniqlash.
Mavzu bo’yicha qisqacha adabiyotlar tahlili. Magistrlik dissertatsiyasining yaratilishi jarayonida yuzdan ortiq mavzu doirasidagi adabiyotlar tahlil qilindi.
G.Y. Zelenov, S.F. Kurashkin, V.Gromov, A.N.Gordov, O.M.Jagullo, A.G. Ivanova, Giampiero de Cesare, Augusto Nascetti, D.M. Domenico CaputoStefanescu Ilsu Rhee, V.M.Kiwon YangAndreev, Y.M. Marshall Dimova-Malinovska D. (Eds.), M.A.Mixeev, N.M.Mxitaryan, D.A. Anderson, D.Sibikin, K.Flekcher, A.Slodov, N.B.Xarchenko, S. Santra, F. Udrea, P. Guha, S. Ali, I. Haneef S. Maeng, P. Guha, F. Udrea, S.Z. Ali, S. Saritra, J. Gardner M. Mansoor, I. Haneef, S. Akhtar, A. De Luca, F. Udrea va boshqa chet el olimlari tomonidaan maydon tranzistorlariga bag’ishlangan adabiyotlar, ilmiy maqolalar talil qilinishi bilan birga resbublikamizdagi A.V. Karimov, S.Z.Zaynobiddinov, D.M. Yodgorova, X.K. Aripov, N.B. Alimova, X.X. Bustanov, Ye.V. Oyedkov, Sh.T.Tosh-matov, M.K.Baxadirxanov, X.M.Iliyev, X.F.Zikrillayev, G’.Y.Umarov, B.Xayriddinov, D.R.Djurayevlarning yarimo’tkazgichlar fizikasi sohasiga bag’ishlangan tadqiqot ishlari tahlil qilindi va o’rganildi.
Tadqiqotda qo’llanilgan uslublarning qisqacha tavsifi. Maydon tranzistorining xossalari, yorug’lik, issiqlik ta’siridagi jarayonlarni o’rganish uchun yarimo’tkazgichlar fizikasining asosiy xossalarini e`tiborga olgan holda, ularning fizikaviy xossalarini o`rganish bilan bog`liq ham nazariy, ham amaliy uslublardan foydalanildi.
Tadqiqot natijalarining nazariy va amaliy ahamiyati. Maydon tranzistorining ishlash printsipi bilan tanishib, ularning samaradorligini oshirishdagi mavjud muammolarni aniqlash va bartaraf etishda yarimo’tkazgichlar fizikasi sonasida olib borilgan izlanishlardan foydalangan holda texnologiya sohasining rivojiga hissa qo’shish mumkin. Ushbu magistrlik dissertatsiya ishining ilmiy ahamiyati maydoniy tranzistorlarni yangi ulanish rejimlari orqali ko‘p funksiyani bajarishdagi fizik jarayonlar to‘g‘risida yangi tasavvurlarni kengaytirish imkonini beradi. Tadqiqot natijalarining amaliy ahamiyati maydoniy tranzistorlarni kanali yopilish rejimida ko‘p funksiyali datchik xususiyatidan foydalanib kichik mikrotoklarda ishlovchi diagnostika asboblarini yasash imkonini beradi.