O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim va zirligi

  0,9  0,95

ga teng. Kuchlanish va quvvat bo’yicha kuchaytirishlar esa bir necha

yuzga etishi mumkin. 14.5,b- rasmda umumiy asos bilan ulangan tranzistorning kirish va chiqish oila tavsiflari keltirilgan. Kollektor va asos orasidagi kuchlanish o’zgarmaganida emitter toki emitter bilan asos orasidagi kuchlanishning o’zgarishiga bog’liqligi kirish tavsifi deyiladi:

I_э 

f U_ЭА ,

bunda

U_КА  const

14.5-rasm.Tranzistorni umumiy asos bilan ulash sxemasi

а) ulash sxemasi, b) kirish va chiqish tavsiflari

Emitter toki o’zgarmaganida kollektor tokining kollektor bilan asos orasidagi kuchlanishning o’zgarishiga bog’liqligi chiqish tavsifi deyiladi:

I_к 

f U_КА ,

bunda

I_Э  const

Tavsifdan ko’rinib turibdi, kollektor-asos kuchlanishining o’zgarishi kollektor tokiga bo’sh ta’sir qiladi. Umumiy emitter bilan sxema 14.6. a-rasmda ko’rsatilgan. Kirish signal manbai asos-emitter zanjiriga, yuklanish R_yu va tok manbai emitter -kollektor zanjiriga ulanadi. Umumiy emitter bilan sxemaning kirish qarshiligi umumiy asos bilan sxemaga nisbatan ancha katta - bir necha yuz Omga teng. Bunga sabab sxemaning kirish toki asos toki bo’lib, kollektor va emitter toklaridan ancha kichiqdir. Sxemaning chiqish qarshiligi katta: yuz kilo Omgacha etadi.

Kollektor kuchlanishi o’zgarmaganida kollektor va asos toklari orttirmalarining nisbati tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsientini aniqlaydi:

  I_к I_{А bunda} U_к  const

^I_э ^{ I}_к ^{ I} _А ^ni hisobga olib,

  ^Iк 

I_э  I_к

_ 

1 

(14.6)

Kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti

_{K } ^Uчик _

I_к  R<sub>ю

</sub>  _ R_ю

(14.7)

^u U
кир

I_А

^{ R}кир

1

^Rкир

Bunda:  - umumiy asos bilan sxemaning tok bo’yicha kuchaytirish

koeffitsienti, qarshiligi.

^R_кир - umumiy emitter bilan sxemaning kirish qarshiligi,

^R_ю - yuklanish