O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim va zirligi

14.6-rasm. Tranzistorni umumiy emitter bilan ulash sxemasi

а) ulash sxemasi, b) kirish va chiqish tavsiflari

SHunday qilib kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti bir necha yuzga

etishi mumkin, chunki

^R_ю ^R_кир qilib olinadi.

Demak, quvvat bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti

К_  K_i  K_u

   K_{u bir}

necha mingga etishi mumkin. Bundaumumiy asos bilan ulangan sxemaning quvvat bo’yicha kuchaytirish koeffitsientiga nisbati ancha katta bo’ladi. SHunga ko’ra, bu sxema kuchaytirgichlarda juda keng qo’llaniladi.

Sxemaning kirish va chiqish tavsiflari 14.6,b-rasmda ko’rsatilgan.

Kollektor-emitter orasidagi kuchlanish o’zgarmaganida asos tokining asos- emitter orasidagi kuchlanishining o’zgarishiga bog’liqligi kirish tavsifi deyiladi:

I _A 

f U _АЭ 

bunda

U_KЭ  const

Asos toki o’zgarmaganida kollektor tokining kollektor-emitter orasidagi kuchlanishining o’zgarishiga bog’liqligi chiqish tavsifi deyiladi.

I_к 

f U _КЭ 

bunda

I_А  const

Qo’sh qutbli tranzistorni umumiy kollektor bilan ulanish sxemasi rasmda

keltirilgan. Kirish signali manbai asos-kollektor zanjiriga, yuklanish

^R_ю va tok

manbai kollektor-emitter zanjiriga ulangan. Sxemaning kirish qarshiligi katta, bir nechao’n kilo Omgaetadi. CHiqish qarshiligi esa bir necha kiloOmga teng. Bu sxema uchun tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti: