O’zbekisтon respublikasi oliy va o’rтa maхsus тa’lim vazirligi

dT
dU
ТКИ
ст
 
 
 
( 5.1) 
Zamonaviy  stabilitronlarning  stabillash  kuchlanishi  1-1000  V  oralig’ida 
yotadi va p-n o’tishning yopuvchi qatlamining qalinligiga bog’liqdir. 
Ом
R
мА
I
мА
I
д
мах
ст
ст
200
5
,
0
,
2000
50
,
10
1






 
 
 
Doimiy kuchlanshni stabillashishi diodni to’g’ri yo’nalishda ulash yordamida 
olish  mumkin.  Bu  maqsadda  qo’llaniladigan  kremniyli  diodlar  stabilitron  deb 
ataladi.  Stabilitronlarni  tayyorlashda    kuchli  legirlangan  kremniy  qo’llaniladi, 
sababi  to’g’ri ulanganda kamroq dinamik qarshilik hosil qilinishi kerak. 
Stabilitronlarni  ketma-ket  ulash  mumkin,  bunda  stabillashtirish  umumiy 
kuchlanishi stabilitronlar kuchlanishlar yigindisiga teng. 
U
st 
= U
st1 
+ U
st2 
+ U
st3 
+ … + U
st.n 
(4.3) 
Stabilitronlarni  parallel  ulashga  ruxsat  etilmaydi,  chunki  barcha  parallel 
ulangan  stabilitronlardan  faqatgina  bitta  eng  kichik  stabillash    kuchlanishiga  ega 

---

bo’lgan stabilitronda tok mavjud bo’ladi. Hozirgi paytda kuyidagi stabilitronlardan 
foydalanilmoqda: KD214A, GD412A,  2D504A,  KV104A. 
5.3. Bipolyar tranzistorlar 
 Bipolyar  tranzistorlar  deb,  quvvat  kuchaytiruvchi  uchta  elektr  o’tkazuvchi 
zonasiga ega bo’lgan elektr o’tkazuvchi asbobga aytiladi. 
Bipolyar tranzistorlarda tok ikki qutbli zaryad tashuvchilar, ya’ni elektron va 
kovaklar  harakatidan  kelib  chiqadi.  Shuning  uchun  bu  tranzistor  nomi  bipolyar 
deyiladi (ikki qutbli). Bu tranzistorlarning p-n-p va n-p-n turlari mavjud. 
 
5.7 - rasm. Bipolyar tranzistorlarning klassifikatsiyasi va shartli belgilanishi 
Тranzistorlarni tayyorlashda germaniyli va kremniyli o’tkazuvchi elementdan 
ko’proq foydalaniladi. 
 
 
5.8- rasm. p-n-p (a) va n-p-n (b)  tipli bipolyar tranzistorlarning strukturasi 

---

Bipolyar  tranzistorlarda  o’rta  qatlami  baza  (B)  deyiladi.  Elektronlar  va 
kovaklarning,  ya’ni  zaryad  tashuvchilarning  manbai  bo’lgan  tashqi  qatlamlari 
emitter (E) va kollektor (K) deb yuritiladi. Kollektor emitterdan kelayotgan zaryad 
tashuvchilarni qabul qiladi. 
n-p-n  tipidagi  tranzistorlarning  ishlashini  ko’rib  chiqamiz  (5.9-rasm): 
kollektor va baza orasidagi musbat kuchlanish berilganda emitter toki I
e
 nolga teng 
bo’lganda  I
ko
  kollektorning  o’tkazishi  tomonidan  asosiy  bo’lmagan  zaryad 
tashuvchilar harakatidan hosil bo’lgan tok oqadi. 
Harorat  oshganda  asosiy  bo’lmagan  zaryad  tashuvchilar  soni  ortadi  va  I
ko
 
kollektor toki keskin oshib ketadi 
Emitterni  manbadagi  manfiy  qismga  ulaganda  I
e 
emitter  toki  paydo  bo’ladi. 
Тashqi  kuchlanish  emitter  o’tishiga  to’g’ri  yo’nalishda  berilganligi  uchun 
elektronlar  n-o’tish  tomonidan  o’tib  bazaga  keladi.  Baza  p  -yarim  o’tkazgichdan 
tayyorlangan shuning uchun elektronlar u yerda asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchi 
hisoblanadi. 
 
5.9-rasm. n-p-n tranzistorning umumiy emitter sxemasi bo’yicha ulanishi 
Bazaga  tushgan  elektronlarning  bir  qismgina  baza  kovaklari  bilan 
rekombinatsiyalanadi,  chunki  bu  yerda  baza  katta  nisbiy  qarshilikka  ega  bo’lgan 
yupqa  p-tipidagi  yarim  o’tkazgichdan  tayyorlanganligi  sababli  kovaklar 
konsentratsiyasi kichik. Elektronlarning ko’p qismi esa issiqlik harakati (diffuziya) 
va  kolletor  maydoni  ta’sirida  (dreyf)  kollektor  tokining  asosiy  I
k
  tashkil  etib, 
kollektorga  yetib  boradi.    Emitter  va  kollektor  orasidagi  toklar  orttirmasining 
bog’liqligi tok o’tkazish koeffitsiyentini xarakterlaydi. 

---

.