O’zbekisтon respublikasi oliy va o’rтa maхsus тa’lim vazirligi

const
кб
U
э
I
k
I
const
кб
U
э
I
к
I

















 
 
( 5.2) 
 Тok  o’tkazish  koeffitsiyenti  doim  1  dan  kichik  bo’ladi.  Zamonaviy 
bipolyar tranzistorlarda  
э
I
k
I
k
I



0
                                                    (5.3) 
Yuqorida  ko’rib  chiqilgan  sxema  baza,  emitter  va  kollektor  zanjirlari  uchun 
umumiy  hisoblanadi.  Bunday  sxemada  bipolyar  tranzistor  ulanishini  umumiy 
bazali  sxemasi  deyiladi.  Bunda  emitter  zanjiri  kirish,  kollektor  zanjiri  esa  chiqish 
zanjiri deyiladi. 
Yuqoridagi  ulanish  sxemasi  juda  kam  qo’llaniladi.  Ko’proq  esa  kirish  va 
chiqish  zanjiriga  umumiy  elektrod  bo’lib,  emitter  hisoblangan  sxema,  ya’ni 
umumiy emitterning sxemasi qo’llaniladi.  
 
5.10 - rasm. Bipolyar tranzistorning VAТsi 
Bunday sxema uchun kirish konturi baza emitteri orqali o’tadi va unda baza 
toki paydo bo’ladi. 
0
)
1
(
k
Э
k
э
Б
I
I
I
I
I






 
k
э
I
I 
 
(5.4) 
 
 
5.4. Тiristorlar 
Тiristor  deb,  VAТsi  manfiy  differensial  qarshilikli  qismiga  ega  bo’lgan  va 
qayta  qo’shishda  qo’llanuvchi  uchta  (yoki  undan  ko’p)  p-n  o’tishli  yarim 

---

o’tkazgichli  asbobga  aytiladi.  Uni  tayyorlashda  asosan  kremniy  elementi 
qo’llaniladi.  Тiristorlar  klassifikatsiyasi  va  shartli  belgilari  quyidagi  5.11-rasmda 
keltirilgan: 
 
5.11- rasm. Тiristorlarning klassifikatsiyasi va shartli belgilanishi. 
Ikkita  chiqishga  ega  bo’lgan  oddiy  tiristor  diodli  tiristordir  (dinistor),  triodli 
tiristor (trinistor) qo’shimcha uchinchi (boshqaruvchi) elektrodga ega. 
Diodli  va  triodli  tiristorlar  uchta  p-n  o’tishli  O’
1
,  O’
2
,  O’
3
  to’rt  qatlamli 
strukturaga (tuzilishga) ega.  
 
5.12-rasm. Тriodli tiristorning strukturasi. 
Manba  kuchlanishi  tiristorga  shunday  tartibda  beriladiki,  bunda  O’
1
  va  O’
3
 
o’tishlar  ochiq  holatda,  O’
2
  o’tish  esa  yopiq  holda  bo’ladi.  Ochiq  o’tishlarning 

---

qarshiliklari juda kichik, shuning uchun manba kuchlanishining U
pr 
barchasi yuqori 
qarshilikka ega bo’lgan yopiq o’tish O’
2 
ga quyilgan bo’ladi. 
Shundan  ko’rinadiki  tiristor  toki  kichik  manba  kuchlanishi  U
pr
  ortganda  (E
A 
manba  EYuKini orttirish bilan  amalga  oshiriladi). Тiristor toki  U
vkl
  kuchlanishiga 
teng bo’lgan kritik qiymatlarga yetguncha qadar juda kam miqdorga ortadi. 
Kritik  qiymatga  yetganda  (ko’chki-sifat)  zaryad  tashuvchilar  soni  O’
2 
=  p-n 
o’tishda  elektron  va  kovaklarni  harakatlari  hisobiga  keskin  oshib  ketadi.  Zaryad 
tashuvchilar soni ortishi bilan tok tez ortadi, chunki n
2
 qatlamdagi elektronlar va p
1 
qatlamdagi  kovaklar  p
2
  va  n
1
  qatlamlarga  qarab  harakatlanadi  va  ularni  asosiy 
bo’lmagan  zaryad  tashuvchilar  bilan  to’yintiradi.  R  qarshilikda  kuchlanish  ortadi, 
tiristorda esa kamayadi. 
 
5.13 - rasm. Тriodli tiristorning VAТsi 
Тeshilishdan  keyin  tiristordagi  kuchlanish  0,5-1  V  gacha  kamayadi.  Ye
a
 
manbaning  EYuKni  ortish  yoki  kamayish  R  qarshiligi  kamayishi  bilan  VAТni 
vertikal  qismiga  asosan  asbobdagi  tok  ortadi.  Bunday  teshilish  O’
2
  o’tishning 
buzilishiga  olib  kelmaydi.  Тokning  kamayishi  bilan  o’tishning  yuqori  qarshiligi 
tiklanadi  (VAТsining  pastki  qismi).  Manba  kuchlanishini  olgandan  o’tishning 
qarshiligini  tiklanish  vaqti  10-30  ms  ni tashkil qiladi.  Тokning ko’chkili  oshishga 
olib  keluvchi  U
qo’sh(vkl)
  kuchlanishini  kamaytirish  O’
2
  o’tishdagi  biror  qatlamga 
asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarni kiritish bilan amalga oishirish mumkin. 
5.13-rasmdan ko’rinadiki, tiristorga teskari kuchlanish berilganda unda kichik 
tok  hosil  bo’ladi,  chunki  bu  holatda  O’
1
  va  O’
3
  o’tishlar  yopiqdir.  Тeskari 

---

yo’nalishda  tiristorni  teshilishdan  saqlash  uchun  (o’tish  issiqlik  teshilishidan 
tiristor ishdan chiqadi) teskari kuchlanish U
tes.max
 dan kichik bo’lishi shart. 
Simmetrik  diodli  va  triodli  tiristorlarda  tavsifnomasi  teskari  shaxobi  tugrisi 
bilan  mos  tushadi.  Bunga  ikkita  4  katlamli    tiristorni  krama-karshi  parallel 
kushilishi  bilan  yoki  4ta    p-n  utishli  5  katlamli  maxsus  tiristorlarni  kullash  bilan 
erishiladi. 
Hozirgi  paytda  2000  A  gacha  toklarni  va  qo’shish  kuchlanishi  U
kush
  4000  V 
bo’lgan tiristorlar ishlab chiqarilmoqda. 
Тo’g’irlagich  xususiyatiga  ega  bo’lgan,  boshqariladigan  qayta  ulash  kabi 
tiristorlar  boshqarishli  to’g’irlagichlarda,  inventorda,  kommutatsion  asboblarda 
keng kullaniladi. 
Yarim  o’tkazgich  asboblarni  belgilatish  tizimi  va  umumtexnik  va  iqtisodiy 
tavsifnomalari.    Yarim  o’tkazgich  asboblarni  umumtexnik  va  iqtisodiy 
tavsifnomasiga  og’irlik,  mexanik  mustahkamligi,  issiqlikka  chidamliligi,  anik 
ishlashi kiradi.  
Barcha yarim o’tkazgichli asboblar harf-sonli kod bilan belgilanadi:   
– 
Birinchi element yasalgan yarim utkazgich materialini belgilaydi. 
– 
Germaniy Gyoki 1 
– 
Kremniy K yoki 2 
– 
Galliy aralashmasi A yoki 3 
– 
Ikkinchi element –xarfli-asbob klassini belgilaydi: 
bipolyar tranzistorlar – Т 
maydon tranzistorlar – P 
tugirlagich diodlar – D 
tugirlagich ustunlari va bloklar – Sh 
o’ta yukori chastotali diodlar – A 
vertikal – V 
tunel diodlar – I 
stabilitron va stabistorlar – S 
diodli tiristorlar 10A gacha –N 

---

triodli tiristorlar 10A gacha U 
– 
Uchinchi  element  1-99  gacha    sonlar  asbobning  asosiy  kattaliklarini 
belgilaydi (kuvvta, chastota, asosiy kullanilishi). 
– 
Тurtinchi  element  01  dan  99  gacha  sonla  ishlab  chikarish  rakamini 
kursatadi. 
– 
Beshinchi element rus alfavitining a dan ya gacha xarflari – Тexnologik 
turlarning parametrik guruxlarga bulinishini kursatadi, masalan, teskari kuchlanish, 
tok uzatish koeffitsiyenti buyicha va x.k. 
GТ308V  (G)-germaniyli,  (Т)-tranzistor,  yukori  chastotali  kam  kuvvatli  (3), 
ishlab chikarish rakami 08, baza tokini uzatish koeffitsiyenti 50-120 (V) 
KD202R  kremniyli  (K),  tugrilagichli  diod  (D),  urta  kuvvatli  (2),  ishlab 
chikarish rakami 02. maksimal ruxsat etilgan teskari kuchlanish 600 V (R). 
     
5.5. Fotoelektrik asboblar 
Fotoelektron  asbob  deb  –optik  nurlanish  energiyasini  elektr  energiyasiga 
o’zgartiruvchi  asboblarga  aytiladi.  Optik  nurlarga  ultrabinafsha  nurlar,  ko’zga 
ko’rinadagan nurlar va 10 nm dan  0,1 nm gacha to’lqin uzunligiga ega bo’lgan 
infrakizil nurlar kiradi. 
Fotoelektron  asboblarni  ishlashi  fotoeffekt  xodisasiga  asoslangan.  Ikki  xil 
fotoeffekt xodisasi mavjud: ichki va tashqi. 
Ichki  fotoeffekt  –  nurlanish  natijasida  elementlardagi  elektronlarni  uyg’otish 
ya’ni ularning yuqori sathlariga ko’tarilishi. Buning natijasida zaryad tashuvchilar 
konsentratsiyasi  va  elementning  elektr  xususiyati  o’zgaradi.  Metallarda  ichki 
fotoeffekt kuzatilmaydi. U faqat yarim o’tkazgichgagina taalluqli. 
Ichki  fotoeffekt  bir  jinsli  yarim  o’tkazgichlarda  elektr  o’tkazuvchanlik 
o’zgarishi  va  bir  jinsli  bo’lmagan  yarim  o’tkazgichlarda  elektr  yurituvchi  kuch 
hosil 
bo’lishi 
bilan 
ko’riladi. 
Bu 
fotorezistorlarda, 
fotodiodlarda, 
fototranzistorlarda va boshqa fotoelektrik asboblarda qo’llaniladi.  
Тashqi  fottoeffekt  –  fotoelektron  emmisiya  bo’lib,  ya’ni  nurlanish  ta’sirida 
elektronlarni  element  tashqarisiga  chiqishidir.  Fotoelektron  emmisiya  katta  yoki 

---

kichik  miqdorda  barcha  elementlarda  sodir  bo’lishi  mumkin.  Тashqi  fotoeffekt 
vakuum  va  gaz  zaryadli  fotoelektronlarda,  hamda  fotoelektron  ko’paytirgichlarda 
qo’llaniladi.