FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR - И.С. Андреев, Х.К. Арипов, Ж.Т. Махсудов, Ш.Б. Рахматов. Полупроводниковые приборы многослойной структуры. Транзисторы и тиристоры. Част 1: Учебное пособие. — Т.: ТЭИС, 1994. 164 с.
- 2. И.С. Андреев, Х.К. Арипов, Ж.Т. Махсудов, Ш.Б. Рахматов. Полупроводниковые приборы многослойной структуры. Транзисторы и торы. Част 2: Учебное пособие. — Т.: ТЭИС, 1994. 98 с
- 3. Х.К. Арипов, Н.Б. Алимова, З.Е. Агабекова,
Reja: 3.Xulosa Diskret MDYA — tranzistorlaming VI bobda keltirilgan tuzilishsxemalari va parametrlari integral texnologiya uchun ham qo‘llanilishi mumkin. Bunda MDYA — tranzistorlar asosida IMSlar tayyorlash texnologiyasi BTlar asosida IMSlar tayyorlash texnologiyasiga qaraganda ancha sodda bo‘lib, u ikkita omil bilan bog‘liq:
Do'stlaringiz bilan baham: |