O’zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari

ilgaridek bajariladi.MDYA - tranzistorli IMSlar yaratishda zatvor ostidagi dielektrikqatlamni hosil qilish eng murakkab jarayon bo‘lgani uchun unga alohida

ilgaridek bajariladi.MDYA - tranzistorli IMSlar yaratishda zatvor ostidagi dielektrikqatlamni hosil qilish eng murakkab jarayon bo‘lgani uchun unga alohida

talablar qo‘yiladi. Xarakteristika tikligini oshirsh uchun (6.18)ga muvofiq zatvor osti dielektrikning qalinligi kamaytirilishi kerak. Oxirgi 40 yil ichida dielektrik material sifatida asosan kremniy ikki oksidi qo‘llanilib keldi, zatvor esa kremniydan tayyorlandi. Mikrosxemalaming har bir yangi avlodiga o‘tish bilan izolatsiyalovchi qatlam qalinligi kichrayib bordi.