Oʼrtа mаxsus tаъlim vаzirligi zаhiriddin muhаmmаd bobur nomidаgi



Download 0,84 Mb.
bet9/18
Sana23.04.2022
Hajmi0,84 Mb.
#577167
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   18
Bog'liq
BMI Abduvoxid

µp∙Nt, (В·см·с)-1

1,87·1015

1,84·1015

1,8·1015

1,75·1015

1,69·1015

1,62·1015

µp, (см2/ В·с)

355

347

339

330

319

305

µn, (см2/ В·с)

2201

2360

2508

2640

2743

2897

бундаги а, b ва µp∙Nt, параметрлар маълумотларидан фойдаланиб, асосий µp ва асосий бўлмаган − µn ташувчиларнинг ҳаракатчанлигининг ҳароратга боғлиқлигини аниқланди (2.1.2-жадвал). Бундан кўриниб турибдики, бундай қаттиқ қоришмларда заряд ташувчиларнинг ҳаракатланиш меҳанизмида чуқур киришма ионлари сочилиши муҳим аҳамият касб этади.
[72; 59-65 бб.] ишда GaAs тагликларига ўстирилган қалайли аралашма эритмадан ўстирилган (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y қаттиқ қоришмасининг рентгенограммаси тадқиқ қилинган. Жуфтлашган германий атомлари галлий арсениди молекулалари билан қисман ўрин алмаштирибгина қолмай, галлий арсенид молекулалари блоклари орасидаги жойларда, ажралиш чегараларида германий нанокристалларининг ўз-ўзидан ҳосил бўлиши аниқланган. Бу фактлар (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y қаттиқ қоришмасида германий киришмалри ҳардоим ҳам нейтрал атом сифатида ўрин алмашмайди. Балки бўлиниш чегараларида жойлашиб, у оддий чуқур киришма сатҳларин ҳосил қилиб ВАХ субчизиқли соҳаларини юзага келишига сабаб бўлади [88; 1066-1070 бб.].
Шундай қилиб, асосий ток ташувчиларнинг ҳаракатчанлигининг пасайиши ва асосий бўлмаганларини ортиши билан ортиши қаттиқ қоришмада ток ўтишига сочилиш механизми муҳим аҳамият касб этади деган хулосага келиш мумкин [24; 67-91 бб.].
2.2 §. n-GaP – p-(GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y гетеротузилмасининг электрик характеристикаси.
Кенг соҳали яримўтказгичли бирикмалар А3В5 – А2В6 лар нурланиш спектрининг ўрта ва узоқ инфрақизил (ИҚ) ва кўринадиган нурлар соҳаларида кенг қўлланилиб, улар асосида микро- ва оптоэлектрон қурилмалар яратиш учун энг истиқболли материаллар ҳисобланади. InSb, InAs, GaSb, GaAs, GaP каби бирикмалар асосида ва бошқа кўп таркибли қаттиқ қоришмалар тузилмаларни олиш, уларни ноёб ҳусусиятлари тадқиқ қилиш, шунингдек, улар асосида турли оптоэлектрон қурилмалар таёрлаш бўйича жадал суратларда илмий тадқиқот ишлар амалга оширилмоқда [80; 63-82 бб.; 81; 59-62 бб.; 82; 2542-2546 бб.; 83; 41-45 бб.; 84; 630-634 бб.].
Шу бунасиб билан ушбу бўлимда n-GaP – (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y гетеротузилмаларининг вольтампер характеристикалари тадқиқотларининг экспериментал натижалари келтирилган. Тузилмалар қалинлиги ~ 400 мкм бўлган, (111) кристаллографик ориентацияга эга бўлган монокристал тагликларга суюқфазали эпитаксия усули билан олинган (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y қаттиқ қоришмларини ўстириш асосиди тайёрланди. Арлашма эритманинг таркиби ҳамда кристалланишнинг бошланиш ҳарорати дастлабки тажрибалар натижалар ва кўпкомпонентли GaAs–Ge–ZnSe–Sn тизилма асосида танлаб олинди. Олинган эпитаксиал қатламлар р-тур ўтказувчанликка эга бўлиб, солиштирма қаршилиги 10 Омсм ва ток ташувчилар концентрацияси 1,5 1016 см-3 га тенг бўлиб, қалинлиги 10 мкм ни ташкил этади. Фойдаланилган тагликларни ҳамда уларга ўстирилган эпитаксиал қатламларнинг тузилмавий тадқиқотлари хона ҳароратида, ДРОН-3М (CuK – нурланиш, = 0.15418 нм) θ − 2θ тизим бўйича қадамлаб текширув меъёрида ишловчи рентгенодифрактометрида ўтказилди. Тузилмавий таҳлиллар олинган эпитаксиал қатламлар (111) кристаллографик ориентацияли сфалерит тузилишга эга бўлган монокристал эканлиги тасдиқлади. Таглик ҳамда унга ўстирилагн қатлам кристал панжарасининг экспериментал қиймати мос



а



б


Download 0,84 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   18




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish