2.1.2-расм. турли ҳароратларда яримлогарифмик (а) ва (б) оддий машстабдаги n-GaAs–р-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y гетеротузилмаси вольтампер характеристикасининг тўғри йўналиши, оС: 1-25, 2-50, 3-75 , 4-100, 5-125, 6-150 [93; 45-49 бб.].
Холл усули ёрдамида аниқланган асосий ток ташувчилар – ковакларнинг ҳаракатчанлиги p = р = 355 см2/В∙с га тенг бўлиб, ноасосий заряд ташувчиларнинг ҳаракатчанлиги қиймати n = b∙р = 2200 см2/В∙с га тенглиги аниқланди.
2.1-жадвал
(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y қаттиқ қоришмасининг характерли қийматлари
[83; 43-45 бб.]
t, ОС
|
25
|
50
|
75
|
100
|
125
|
150
|
I0, А
|
28.7∙10-6
|
31.8∙10-6
|
36.4∙10-6
|
41.4∙10-6
|
45.8∙10-6
|
49∙10-6
|
C
|
16.5
|
15.3
|
14.37
|
13.5
|
12.8
|
11.9
|
B
|
6.2
|
6.8
|
7.4
|
8
|
8.6
|
9.5
|
ρ, Ом∙см
|
54.1∙106
|
52,9∙106
|
50,8∙106
|
48,3∙106
|
46,9∙106
|
46,1∙106
|
Асосий ток ташувчиларнинг яшаш вақти ва ҳаракатчанлиги маҳсули (pp) қуйидаги формула билан ҳисобланиши мумкин:
. (2.1.12)
Хона ҳароратида асосий ташувчиларнинг яшаш вақти ва ҳаракатчанлиги маҳсули (pp) қиймати 8,4·10-6 см2/В∙с га тенг. Ўз навбатида бу қиймат асосий заряд ташувчилар яшаш вақтининг аниқлаш имконини беради яъни унинг қиймати ~ τp = 2,37·10-8 с.
(2.1.11) формуладаги I0 экспонентаси олд кўрсаткичи қуйидаги кўринишни қабул қилади:
(2.1.13)
Бу ерда, - GaAs таглик ва (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y эпитаксиал қатлам орасидаги ўтувчи қатламнинг (яъни p-n ўтиш) солиштирма қаршилиги. ВАХ чизиқларининг экспериментал нуқталаридан аниқланган I0 нинг хона ҳароратида қиймати 28,7·10-6 А га тенг. (2.1.13) тенглама ва жадвалдаги маълумотлардан фойдаланиб таглик ва эпитаксиал плёнка орасидаги ўтиш қатламининг қаршилиги ҳисобланиб, хона ҳароратида қиймати 54,1·106 Ом∙см ни ташкил иши кўрсатилди. 2.1-жадвалда ҳам ҳароарат ортиши билан эпитаксиал қатлам ва таглик орасидаги қаршиликнинг камайши келтирилган. Ўрганилган ҳарорат оралиғидаги ВАХ нинг экспоненциал боғланишидан кейин субчизиқли соҳа пайдо бўлади [88; п. 1066-1070], бу ерда амалдаги кучланиш ортиши билан ток қиймати оз миқдорда ўзгаради. (2.2.2-б расм). (2.1.8) ифодадан фойдаланиб, ВАХ нинг субчизиқли соҳасидан бевосита "а" параметрнинг қийматини аниқлаш мумкин [88; 1066-1070 бб.]:
, (2.1.14)
бу ерда ВАХ нинг сублчизиқли соҳаларининг икки кетма-кет экспериментал нуқталарида V1, V2 кучланишлардаги I1, I2 ток қийматлари. Заряд ташувчиларнинг диффузия коэффициенти фақат ҳароратга боғлиқ бўлгани учун [88; 1066-1070 бб.] ва асосий ташувчиларнинг ҳаракатчанлиги ҳамда "а" қийматидан (2.1.6) ифода бўйича асосий ташувчиларнинг ҳаракатчанлиги ва чуқур киришмалар консентрациясининг маҳсулини μn·Nt. топишимиз мумкин.
"а" нинг қиймати (2.1.6) формуладан хона ҳароратида Nt=5,3·1012 см-3 бўлган субчизиқли соҳа (2.1.8) кўриниши учун маъсул бўлган чуқур киришмлар консентрациясини аниқлашга имкон беради.
2.2-жадвал.
(a) катталик ва асосий µp ҳамда ноасосий µn заряд ташувчилар қийматининг ҳароратга боғлиқлиги. [94; 43-45 бб.]
t, ОС
|
25
|
50
|
75
|
100
|
125
|
150
|
а, (см/А)
|
6.5·104
|
6,1·104
|
5,78·104
|
5,55·104
|
5,45·104
|
5,26·104
|
|
Do'stlaringiz bilan baham: |