Oʼrtа mаxsus tаъlim vаzirligi zаhiriddin muhаmmаd bobur nomidаgi

Равделя А.А., Пономарева А.М. Краткий справочник физико–химических величин. Ленинград, Химия 1983. Ст. 231.

Шаренкова Н.В., Каминский В.В., Петров С.Н. Размеры областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения в тонких плёнках SmS и их визуализация // Журнал технической физики. 2011. Т. 81. № 9. С.144-146.

Saidov A.S., Razzakov A.S., Risaeva V.A., Koschanov E.A. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge₂)_1−x(ZnSe)_x. Materials chemistry and physics // 2001. Vol. 68. № (1-3). Р. 1-6.

Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й., Каланов М.У. Структурные осебенности твердого раствора (GaAs)_0,69(Ge₂)_0,17(ZnSe)_0,14 с квантовыми точками // Республиканская научная конференция “Неравновесные процессы в полупроводниках и полупроводниковых структурах”. Ташкент. 2-3 февраль, 2017. Ст. 98-100.

Кулбачинский В.А. Полупроводниковые квантовые точки // Соросовский образовательный журнал. 2001. Т. 7. № 4. С. 98-104.

A.S. Saidov, Sh.N. Usmonov, K.T. Kholikov, D. Saparov. Synthesis and characterization of (Si₂)_1−x−y(Ge₂)_x(GaAs)_y continuous solid solutions // Technical Physics Letters, 2007, Vol. 33,No 8, P. 701-703.

B. Sapaev, M.S. Saidov, A.S. Saidov, and S. Zh. Karazhanov. (IV₂)_1-x(III-V)_x Solid Solutions Obtained from a Bounded Tin Melt-Solution // Semiconductors, vol. 38, no. 11, 2004, P. 1245-1253

M.S. Saidov. Low-temperature crystallization of semiconductor solid solutions that are promising for the realization of the extrinsic thermo photovoltaic effect // Applied Solar Energy, 2007, vol. 43, no 1, P. 45-48.

S.Z. Zaynabidinov et al. Growth, Structure, and Properties of GaAs-Based (GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y Epitaxial Films // Semiconductors, 2016, Vol. 50, No. 1, P. 59-65.

С.З. Зайнобидинов, А.С. Саидов, А.Й. Бобоев, Ж.Н. Усмонов, Ш.Х. Йўлчиев. Определение оптимальных технологеских условий выращивания эпитаксиальных слоев (GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y, методом жидкостной эпитаксии // Научный вестник АндГУ. 2018. № 3. C. 15-18.

А.И. Блесман, В.В. Даньшина, Д.А. Полонянкин. Теоретические основы методов исследования наноматериалов. Омск: Издательство ОмГТУ, 2017, 78 с.

S.Z. Zainabidinov, H.J. Mansurov, A.Y. Boboev and Kh.A. Makhmudov. Structural featureas the solid solution (GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_ywith quantum dots (0≤x≤0.17); (0≤y≤0.14) // Semiconductor physics and microelectronics. 2019. no.1, P. 11-14.

У. Рахмонов, М. Каланов, Ш. Ниѐзов. Рентгенодифракционные исследования эпитаксиальных пленок твердых растворов (ZnSe)_1-x-y(Si₂)_x(GaP)_y // Международная конференция «Фундаментальные и прикладные вопросы физики». Ташкент, 2017. С. 66-71.

Краткий справочник физико–химических величин. Под ред. А.А. Равделя и А.М. Пономаревой. Л.: Химия, 1983, 232 с.

I.L. Shul’pina, R.N. Kyutt, V.V. Ratnikov, I.A. Prokhorov, I.Zh. Bezbakh, M.P. Shcheglov. X-ray diffraction diagnostics methods as applied to highly doped semiconductor single crystals // Technical Physics. 2010, Vol. 55, No 4, P. 537-545.

Лунина Л.С., Казаковой А.Е. Многокомпонентные полупроводниковые гетероструктуры. Учебно-методическое пособие. Новочеркасск, ЮРГПУ, 2016. – 147 с.

Зайнабидинов С.З., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Каланов М.У., Усмонов Ш.Н., Рустамова В.М, Бобоев А.Й. ФТП. 2016,Т.50, Вып.1, С. 60-66.

Саидов А.С., Зайнабидинов С.З., Каланов М.У., Бобоев А.Й., Кутлимуротов бб.Р. // Гелиотехника, 2015. №3, С. 59-62.

Ш.Н. Усмонов, А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман. ФТТ, 2014, Т. 56, В. 12.

А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, М.У. Каланов, К.А. Амонов. Альтьернативная энергетика и экология. №15. №137. 2013. ст. 41-45.

А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман. Ш.Н. Усмонов, К.Т Холиков. ФТТ, 2009, т. 43, в. 4.

Zainabidinov, A.S. Saidov, A.Yu. Leiderman, M.U. Kalanov, Sh.N. Usmonovand A. Yu. Boboev. Semiconductors, 2016, Vol. 50, No. 1, pp. 59–65.

Saidov A.S., Zainabidinov S.Z., Kalanov M.U., Boboev A.Y., Kutlimurotov B.R. Peculiarities of photosensitivity of n(GaAs)–p(GaAs)_1–x–y(ZnSe)_x(Ge₂)_y structures with quantum dots. Applied Solar Energy. 2015, Volume 51, Issue 3, pp. 206-208.

Бобоев, А.Й., Зайнабидинов С.З. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y. Узбекский Физический Журнал, 2015. Вып. 17. № 4. ст. 218–224.

А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.А. Амонов. Эффект инжекционного обеднения в p-Si−n-(Si₂)_1−x(ZnSe)_x (0 ≤ x ≤ 0.01) гетероструктуре. Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, вып. 9. Ст. 1066-1070.

Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. радио, 1978. С.320.

Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов М.: Радио и связь, 1990. С.264.

Холиков К.Т. Получение, электрофизические и фотоэлектрические свойства pSi-n(Si₂)_1-x(CdS)_x, nSi-p(Si₂)_1-x-y(Ge₂)_x(GaAs)_y гетероструктур. Дисс.конд.физ.-мат.наук. Ташкент ФТИ, 2010. С. 126.

Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Усмонов Ш.Н., Холиков К.Т., Вольтамперная характеристика p-n структурна основе непрервного твордого растворв (Si)1-x-y(Ge₂)_x(GaAs)_y // ДАН Уз. –Ташкент, 2008. -№5. –С. 23-25.

С.З. Зайнабидинов, А.Ю. Лейдерман, А.Й. Бобоев. Исследование механизма переноса тока В n-GaAs – р-(GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y гетероструктур. Узбекский физический журнал. 2019. № 1. С.45-49.

Boboev A.Y, Kalanov M.U., Zainabidinov S.Z., Saidov A.S., Leiderman A.Yu. Research of current transport mechanism in n-GaAs-p(GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y heterostructure at various temperatures.Дан Уз. 2008. №6. С. 43-45.

С.С. Хлудков. Вестник Томского Государственного университета общенаучный периодический журнал. № 285, 2005, ст. 84-94.

M.S. Saidov. Low-temperature crystallization of semiconductor solid solutions that are promising for the realization of the extrinsic thermo photovoltaic effect. Applied Solar Energy. 2007, vol. 43, no 1, pp 45-48.

Бобоев А.Й., Усмонов Ж.Н. и др. Фотоэлектрические свойства n-GaAs–p-(GaAs)_1-x(Ge₂)_х гетероструктур с нанокристаллами германия. Научный вестник НамГУ 2020, №1, ст. 58-63.

V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, V.V. Rumyantsev, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, and B.N. Zvonkov. 1.3 μm photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure. Journal of Applied Physics 115, 043512 (2014)

В.П. Хвостиков, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный, Э.В. Олива, М.Э. Шварц, О.А. Хвостикова. Фотообразователи на основе GaAs/Ge гетероструктур, полученных методом низко температурной ЖЭФ. Письмо в ЖТФ.2003. 29(14) стр. 46-49

С.З. Зайнабидинов, А.Й.Бобоев, Ж.Н.Усмонов, Х.А.Махмудов, бб.М. Эргашев. Физика-математика тадқиқотлари (Physical and mathematical research) №1 (41) 2019, C. 35-43.