Oʼrtа mаxsus tаъlim vаzirligi zаhiriddin muhаmmаd bobur nomidаgi

2.3 §. n- GaAs - p-(GaAs)_1-x(Ge₂)_х гетеротузилмасининг фотоэлетрик хоссалари.
n-GaAs–p-(GaAs)_1-x(Ge₂)_х гетеротузилмасининг спектрал фотосезгирлиги 1 дан 3 эВ гача бўлган фотон энергияси оралиғидаги намуналарни ўрганиш имконини берувчи CARLZEISJENA монохроматори билан жиҳозланган оптик спектрометр билан ўлчанди
Қаттиқ қоришмалар компонентларининг кузатилаётган жараёнлардаги аҳамиятини аниқлаш учун ишлаб чиқарилаётган қурилмалар фотосезгирлигининг спектрал боғлиқликларини 0,35 дан 2,5 мкм гача нурланиш оралиғидаги намуналарни ўрганиш имконини берувчи кварс оптикали кўзгули монохраматор ёрдамида текширилди. 2.3.1-расмда n-GaAs–p-(GaAs)_1-x(Ge₂)_х гетеротузилмалар фотосезгирлигининг спектрал боғлиқлиги кўрсатилган бўлиб, ўрганилаётган тузилмаларнинг фотосезгирлиги 1.13 дан 1.73 эВ гача бўлган фотон энергиялари оралиғини қамраб олиши кўрсатилган. (GaAs)_1-x(Ge₂)_х қаттиқ қоришма таркибида кичик ман этилган соҳага эга бўлган Ge₂ бўлгани сабабли ўрганилаётган тузилмаларнинг фотоссезгирлиги 1.13 эВ фотон энергияларидан бошланади [33; 43-51 бб.]. Жуфт Ge₂ атомлари GaAs тетраэдрал панжарадаги Ga ва As атомлар билан ўрин алмашгани учун [33; 43-51 бб.], Ga – As боғлари уларни ўраб турган Ge атомлари таъсирида кучсизланади. Ge−Ge молекуласининг боғланиш энергияси, тетраэдрал панжарада бўлганда Ge (Е_Ge=0.67 эВ) ман этилган соҳаси билан аниқланади ва у GaAs ман этилган соҳаси (Е_GaAs =1.42 эВ) дан кам бўлса, Ge−Ge боғининг ионланиш энергияси GaAs билан ўралганда-ортади. (GaAs)_1-x(Ge₂)_х қаттиқ қоришманинг максимал спектрал фотосенситивлиги 1.34 эВ да кузатилади, бу GaAs ман этилган соҳасидан кам. Бироқ спектрал сезгирликнинг ортиши