Oʼrtа mаxsus tаъlim vаzirligi zаhiriddin muhаmmаd bobur nomidаgi

2.4.3-расмда. n-GaP-p-(GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)х(ZnSe)у гетеротузилма-сининг энергетик соҳалари диаграммаси

ХУЛОСАЛАР

1. 
   А³В⁵ ва А²В⁶ турдаги яримўтказгичли бирикмалари асосида узлуксиз беш компонентли қаттиқ қоришмаларнинг ҳосил бўлиш термодинамикасини аниқлаш.
   
2. 
   Висмут киришма атомлари бўлган (GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y юпқа плёнкаларини суюқ-кристалланиш ҳолатидан олишнинг оптимал технологик шароитларини аниқлаш.
   
3. 
   (GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y қўпқатламли юпқа плёнкаларнинг тузилмавий хоссалари ва электрофизик хусусиятларини тадқиқ қилиш. Олинган плёнка сиртида ўз-ўзидан ҳосил бўлувчи GaAs_1-δBi_δ ва ZnSe нанокристалларини ҳосил бўлиш механизмларини ва уларнинг тузилмавий катталикларини аниқлаш.
   
4. 
   n-(GaР)–р-(GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y гетеротузилмларининг фотосезгирлиги ва уларда ток ўтиш механизмларини тадқиқ қилиш. p-n-p ўтиш орқали ўтаётган эркин ток ташувчиларнинг ўтиш механизми таҳлили асосида асосий ток ташувчиларнинг ҳаракатчанлиги ва чуқур сатҳли киришма атомларининг концентрацияси фақатгина "а" катталик қийматига боғлиқлиги аниқланди.
   
5. 
   (GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y қаттиқ қоришмаларнинг ВАХ тўғри йўналишидаги боғланиш кузатилиб кучланиш U турли соҳаларида “a” нинг қиймати 1 дан гача бўлган қийматларини қабул қилиши, U нинг турли қийматларида ток ташувчиларнинг турли табиатли сочилишлари ҳақида гувоҳлик беради. n-GaP-p-(GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y гетеротузилмаларда ток ўтиш мехенизми ифодасидаги “с” экспонента кўрсатгичи билан боғлиқ бўлган номувозанатий ток ташувчиларнинг диффузияси асосида аниқланди.
   
6. 
   Гетеротузилмаларнинг максимал спектрал фотосезгирлиги 1.34 эВ да кузатилиб, у n-p ўтишнинг бўлиниш чегараси GaAs ман этилган соҳаси билан ҳамда Ge₂ молекулалари GaAs молекулалари билан қисман ўрин алмашиниши натижасида ҳосил бўлиши аниқланди.
   
7. 
   ZnSe бирикмасига тегишли бўлган фоточўққи n-GaP-p-(GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y кенг гетеротузилмасининг фотолюминесценция спектрида сезиларли даражада ажралиб туриши эпитаксиал қатлам валент соҳаси шифтидан E_i = E_g,ZnSe – = 2.7-2.38=0.32 эВ пастда жойлашган 2.7 эВ ионланиш энергиясига эга бўлган энергетик сатҳ ҳосил қилиши аниқланди. Бу эса тадқиқ қилинаётган гетеротузилма асосида кўзга кўринувчи нурлар соҳасини тўла қамраб олувчи фотактив материаллар олиш имкони беради.