Oʼrtа mаxsus tаъlim vаzirligi zаhiriddin muhаmmаd bobur nomidаgi

ФОЙДАЛАНИЛГАН АДАБИЁТЛАР РЎЙХАТИ

1. 
   Саидов А.С., Саидов М.С., Усмонов Ш.Н., Асатова У.П. «Выращивание пленок (InSb)_1-x(Sn₂)_x на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии». ФТП, 2010, Том.44, Вып. 7, ст.970-977.
   
2. 
   M.S. Saidov. Appl. Solar Energy, 1997, Vol 33, no 5, pp 48-55.
   
3. 
   M.S. Saidov. / Possible semiconductor continuous solid solutions for thermophotovoltaic cells. Appl. Solar Energy, 1999, Vol 35, no 3, pp 48-53.
   
4. 
   Duwez F., Willens R.N., Kilment W.Ir. J.Appl. Phys., 31, 1500, (1960).
   
5. 
   Сапаев бб. / Исследование роста и фотоэлектрических свойств эпитаксиальных гетероструктур Ge−(Ge₂)_1−x(GaAs), полученных из свинцового раствора-расплава методом жидкостной эпитаксии. Письма в ЖТФ, 2004, том 30, вып. 15 с.29–37.
   
6. 
   Kawai H., Giorgi G and Yamashita K. Phys.Status Solidi B 249, No. 1, рр.29–37 (2012).
   
7. 
   Сапаев бб., Саидов А.С., Заверюхин бб.Н. Получение эпитаксиальных слоев твердых растворов (Si₂)_1-x(GaAs)_x на Si-подложках и исследование их электрических фотоэлектрических характеристик // Письма в ЖТФ, Cанкт-Петербург, 2004. т.30, в.2.С.25-32.
   
8. 
   Brazhkin V.V., Lyapin A.G., Popova S.V., Kalyaeva N.V. Journal of Materials Science. January 1995, Volume 30, Issue 2, pp.443-446.
   
9. 
   Bing-Lin Gu, Jun Ni, and Jia-Lin Zhu Phys. Rev. B 45, 4071 –4079, Published 15 February 1992.
   
10. 
    Раззаков А.Ш. Исследования условий эпитаксиального роста новых варизонных твердых растворов (Ge₂)_1-x(ZnSe)_x и их некоторых электрических, фотоэлектрических свойств: Дисс. канд. физ.  мат. наук. Ташкент: ФТИ, 1998,  153 с.
    
11. 
    Сапаев Б., Саидов А.С. Исследование условий роста и фотоэлектрических свойств эпитаксиальных структур Si-(Si₂)_1-x(ZnS)_x // Письма в ЖТФ, Cанкт-Петербург, 2004. т. 30, в.17.С.14-18.
    
12. 
    Зайнабидинов С.З., Саидов А.С., Каланов М.У., Бобоев А.Й. // Синтез, структура и электрофизические свойства гетероструктур n-GaAs – p-(GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y. Гелиотехника. 2019. № 4. С. 295-322.
    
13. 
    Саидов А.С., Усмонов Ш.Н., Холиков К.Т., Сапаров Д. Выращивание и фоточувствительность pSi–n(Si₂)_1-x(GaSb)_x структур. // Гелиотехника. Ташкент, 2007.  №3. С. 85-88.
    
14. 
    Дьяконов М.И., Рейх М.Э. ФТП. 1982. Т.16. №5. с. 890-892.
    
15. 
    Гулубанов А.И., Полуботка А.М. ФТП.1982. Т.16. №5. с. 840-843.
    
16. 
    Сапаев Б. Конференция, посвященная 90-летию академика С.А.Азимова «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» г. Ташкент, 18 - 19 ноября 2004 г. с.345-346.
    
17. 
    A.S. Saidov, A.Sh. Razzakov, V.A. Risaeva, E.A. Koschanov Materials Chemistry and Physics Volume 68, Issues 1–3, 15 February 2001, Pages 1–6.
    
18. 
    Sadao Adachi. Properties of semiconductor alloys: group –IV, III-V and II-VI semiconductors Gunma University, Gunma, Japan. John Willey&Sons Ltd. 2009. pp. 11-39
    
19. 
    Jacobs R.N., Markunas J.,  Pellegrino J., and et.al. Role of thermal expansion matching in CdTe heteroepitaxy on highly lattice-mismatched substrates. Journal of Crystal Growth. 2008, Vol. 310, Issue 12, 1. Рр. 2960–2965.
    
20. 
    Давлатов У.Т. Гетероструктуры Si-Si_1-xGe_x, Si-Si_1-xGe_x-GaAs, Si-(Si₂)_1-x(GaAs)_x,(0≤x≤1) полученные методом жидкофазной эпитаксии, их электрофизические и фотоэлектрические характеристики. Дисс. … канд. физ.  мат. наук. Ташкент, ФТИ 2006 г., 134 с.
    
21. 
    N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, V. A. Shchukin, P. S. Kop’ev, Z. I. Alferov, and D. Bimberg, “Quantum dot heterostructures: fabrication, properties, lasers (Review),” Semiconductors, 1998, Vol. 32, Issue. 4, pp. 343-365.
    
22. 
    Saidov A.S. et. al. Growth of (GaAs)_{1 − x} (ZnSe) _x solid solution films and investigation of their structural and some photoelectric properties. Physics of the Solid State, 2011, Vol. 53, Issue. 10, pp. 2012–2021.
    
23. 
    Saidov A.S., Usmonov Sh.N. and Saparov D.V. Structural Studies of the Epitaxial Layer of a Substitutional Solid Solution GaAs)_1−x(ZnSe)_x with Nanocrystals. Advances in Materials Science and Engineering, 2019, Vol. 1, pp. 1-9.
    
24. 
    Усмонов Ш.Н. Взаимодействие примесей в твердых растворах на основе кремния, арсенида-галлия, селенида-цинка, сернистого-кадмия и электрофизические свойства гетероструктур, полученных на их основе. Дисс. док. физ.-мат. наук Ташкент, ФТИ, 2018. С. 220.
    
25. 
    Jiang Bing-Yi, Zheng Jian-Bang, Wang Chun-Feng, Hao Juan, Cao Chong-De Optimization of quantum dot solar cells based on structures of GaAs/InAs-GaAs/ZnSe. Acta Phys. Sin. 2012, Vol. 61, Issue. 13. pp. 1-6.
    
26. 
    M. Funato, “Title control of interface properties in ZnSe-GaAs heterovalent heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy,” Dissertation, Kyoto University, Kyoto, Japan, 2000. Р. 157.
    
27. 
    H. H. Farrell and R. A. LaViolette, “Cation variations at semiconductor interfaces: ZnSe(001)/GaAs(001) superlattices,” Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 2004. Vol. 22, Issue. 4, pp. 2250–2256.
    
28. 
    D. H. Mosca, W. H. Schreiner, E. M. Kakuno et al., “Chemical and structural aspects of annealed ZnSe/GaAs(001) heterostructures” Journal of Applied Physics, 2002. Vol. 92, Issue. 7, pp. 3569–3572.
    
29. 
    L. G. Wang and A. Zunger, “Dilute Nonisovalent (II-VI)-(IIIV) semiconductor alloys: monodoping, codoping, and cluster doping in ZnSe-GaAs,” Physical Review B, 2003.Vol. 68, Issue. 12, pp. 1452-1459.
    
30. 
    M. Glicksman and W. D. Kraeft, “Effect of high intrinsic ion concentrations on electron energies in solid solutions of III-V and II-VI semiconductors,” Solid-State Electronics, 1985. Vol. 28, Issue 1-2, pp. 151–161.
    
31. 
    А.С. Саидов, Э.А. Кошчанов, А.Ш. Раззаков. О возможности улучшения структурного совершенства новых гетеропар GaAs–(Ge₂)_1−x(ZnSe)_x, Ge–(Ge₂)_1−x(ZnSe)_x, GaP–(Ge₂)_1−x(ZnSe)_x, Si–(Ge₂)_1−x(ZnSe)_x. Письма в ЖТФ, 1998, том 24, № 2 ст 12-16.
    
32. 
    Kwangwook Park and Kirstin Alberi. Tailoring Heterovalent Interface Formation with Light Scientific Reports, 2017, Vol. 7: pp. 8516.
    
33. 
    Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й., Усмонов Ж.Н. Влияние нанокристаллов германия и селенида цинка на фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-GaAs – p-(GaAs)_0,69(Ge₂)_0,17(ZnSe)_0,14. Альтьернативная энергетика и экология, 2019, № 10-12. ст. 43-51.
    
34. 
    Ж.И.Алферов. УФН, 172(9) 1068-1086 (2002)
    
35. 
    Саидов, М.С. Твердые растворы многокомпонентных полупроводниковых соединений с нано-дефектами и примесные вольтаические эффекты в фотоэлементах. // Гелиотехника. - 2006. - №.4. - С. 48–54.
    
36. 
    Марончук Ю.Е., Рудая Н.С., Якушева Н.А. Кратковременная жидкофазная эпитаксия арсенида галлия из висмутового расплава. Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1986. Т. 22. № 3. С. 367–370.
    
37. 
    Усмонов Ж.Н. Теоритические основы тенологии получения и исследования электрофизических свойств n-GaAs-p-(GaAs)_1-x-у(Ge₂)_x(ZnSe)_y Дисс.Маг. Андижон, 2013. С. 78.
    
38. 
    Трушин В.Н., Андреев П.В., Фаддеев М.А. Рентгеноский фазовый анализ поликристаллических материалов. - Нижний Новгород, 2012. - 89 с.
    
39.