Adabiyotlar:
В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Основы наноэлектроники. Новосибирск, 2000.-332 с.
Umirzakov B.E., Tashmuxamedova D.A. Qattiq jism yuzalarini o’rganish usullari: O’quv qo’llanma. –ТоshDTU, 2005. –63b.
Azizov M.A. Yarim o’tkazgichlar fizikasi. O’qituvchi nashriyoti. Toshkent-1990
Rasulov E. Begimqulov U Kvant fizikasi. Toshkent-2006
Касымов А.Х. Электрониканинг физикавий асослари: Ўšув šўлланма. –Т.: Фан, 1997. –186б.
Павлов П.В., Хоxлов А.Ф. Физика твердого тела. – М.: Высшая школа, 2000. –510c.
Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. – М.: Наука, 2006. 490с.
Umirzаkоv B.Е, Abduvaitov A.A. «Yarim o’tkazgichli nanoplyonkalar va nanostrukturalar olish va xususiyatlarini o’rganish usullari» o’quv qo’llаnmа. Tоshkеnt dаvlаt tеxnikа univеrsitеti. Tоshkеnt. 2010.
Krutyakov Yu.A., Kudrinskiy A.V., Olenin A.Yu., Lisichkin G.V. // Uspexi ximii 2008, 77(3), 242-265.
Gubin S.P., Yurkov G.Yu., Kataeva N.A. Nanochastisti blagorodnix metallov i materiali na ix osnove. M.: OOO «Azbuka-2000», 2006, 156 s.
Xlebstov N.G., Bogatirev V.A., Dikman L.A., Shegolev S.Yu. // Rossiyskie nanotexnologii 2007 2, № 3-4, 69-86.
Gubin S.P., Yurkov G.Yu., Kataeva N.A. Nanochastisti blagorodnix metallov i materiali na ix osnove-M.: OOO "Azbukas-2000"
Krutyakov Yu.A., Kudrinskiy A.A., Olenin A.Yu., Lisichkin G.V. Uspexi ximii, 2008, t.77, №3
Алексенко А.Г. Нанотехнология и подготовка инженерных кадров по приоритетным направлениям науки техники : Тез. докладов научно-практической конференции “Высшее техническое образование в XXI веке. “ – Ташкент , 2002. – 23 с.
Максимов К., Герасименко Н., Павлюченко М.Н., Вернер И.В. Эффекты упорядочения при формировании наноконструктор на основе Si Ge/ Si. Известия вузов. Электроника. №2. 2001. c 3-15.
Моисеев И.И., Климов Д.М., Спицин Б.В., Котов Ю.А., Русанов А.И., Микаэлян А.Л, Алфимов М.В., Раховский В.И. обсуждение проблем нанотехнологии. Научная сессия общего собрания РАН 19.12.2002. // Вестник Российской Академии Наук. Т. 73, №5, с. 429. (2003 г.)
Данилов Ю.А. Электрическая изоляция и другие эффекты ионной имплантации в Ga As кванто-размерных структурах. // Мат. XVII межд. конфер. “Взаимодействие ионов с поверхностью”, Т. 2. М., 2005, с 31-36
Умирзаков Б.Е., Тошмухамедова Д.А. Электронная спектраскопия нанопленок и наноструктур, созданых ионной имплантацией. – Ташкент. ТашГТУ. 2004 г. с 147.
Мир материалов и технологии. Герасименко Н., Пармохеменко Ю. Кремний- материал микроэлектроники. Изд. Техносфера. Москва, 2007.
Обухов И.А. О возможности применения СТМ-АСМ литографии для создания новых типов квантовых приборов. // Микросистемная техника №6, 2003, с 34-37.
Саченко А.В., Крюченко Ю.В. О статистике и кинетики рекомбинации в полупроводниковых наноконструктурах. // Физика и техника полупроводников. 2004. Т 38. Вып 1, с 102-109
Герасименко Н., Пармохеменко Ю. Мир материалов и технологии. Кремный материал микроэлектроники. Изд. Техносфера. Москва 2007, с 82
http://www.ufn.ru/
http://www.ziyo.net
http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftt/
http://www.issp.ac.ru/journal/surface/
http://www.n-t.ru/ni/nz/1988/0901.htm/
http://n-t.ru/nz/1989/0901.htm/
http://www.5ka.ru/88/19724/J.htmJ
http://www.computers.ru/offline/2002/439/17343/
http://www.5ka.ru/93/21856/1.htmJ
http://www.5measure.ru/modules.php?name=News&file=article&si
http://www.osp.ru/CW 2003/35/038
http://cmliris.harvard.edu/
http://www.chemictry.fas.nyu.edu/
htttp://www.nbtc.cornell.edu/
Do'stlaringiz bilan baham: |