Mustaqil ish 711-19 guruh talabasi M. Kuzmanov Mavzu

O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA

KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI

TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI

FARG’ONA FILIALI

Fan ELEKTRONIKA VA SXEMALAR

MUSTAQIL

ISH

711-19 guruh talabasi M.Kuzmanov

Mavzu: Integral mikrosxemalar turlari va belgilanish tizimi

Reja:

1.Integral mikrosxema (IMS)larning turlari va elementlari.

2.Planar epitaksial texnologiya.

3.MDYA-tranzistorlar asosidagi IMSlar.

Integral mikrosxema (IMS)larning turlari va elementlari.

Bugungi kunda alohida mikrosxemalar birlashtirilgan tarzda ishlab chiqarilmoqda. Bunday mikrosxemalarga integral mikrosxemalar(IMS)deyiladi.

Birinchi IMSlar 1958 yilda yaratilgan bo’libuning hajmi ihcham, og‘irligi kam, energiya sarfi kichik,ishonchliligi yuqori hisoblanadi.1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G.Mur qonuniga muvofiq bormoqda, ya’ni har ikkiyilda zamonaviy IMSlardagi elementlar soni ikkimarta ortmoqda.

Hozirgi kunda elementlar soni 106÷109ta bo‘lgan o‘ta yuqori (O‘YUIS) va giga yuqori

(GYUIS) IMSlar ishlab chiqarilmoqda. IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik Konstruktiv belgisi-

IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqqa joylashtirilgan bo‘lib, yaxlit hisoblanadi. Texnologik belgisi-IMS elementlarining hammasi yoki bir qismi va elementlararo bog‘lanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. Shu sababli integral mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega.

Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra IMSlarning uchta prinsipial turi mavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali va gibrid. Har bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi. Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi. IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi. Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos turi hisoblanadi:

- yarim o‘tkazgichli; - dielektrik.

Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida Si va GaAs keng qo‘llaniladi.

IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi. Dielektrik asosli IMSlarda elementlar uning sirtida joylashadi. Yarim o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo‘lib ular bir - biridan izolyasiyalanishni talab qiladi. Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyasiyasi, ularning

xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi. Pardali IS – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari

parda ko‘rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past bosimda turli materiallardan yupqa paradalar ko‘rinishida cho‘kmalar hosil qilish yo‘li bilan olinadi. Yupqa pardali IS - parda qalinligi 1 – 2 mkmgacha.

Qalin pardali IS -parda qalinligi 10 – 20 mkm gacha va undan katta.

Hozirgi kunda barqaror pardali diodlar va tranzistorlar mavjud emas, shu sababli pardali ISlar faqat passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar va x.z.) dan tashkil topadi. Gibrid IS (yoki GIS) – pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan tashkil topgan, yagona dielektrik asosda joylashganmikrosxema. Diskret komponentlarni osma elementlar

deb atashadi. Qobiqsiz yoki mikrominiatyur metall qobiqli mikrosxemalar gibrid

IMSlar uchun aktiv elementlar bo‘lib hisoblanadilar.Asosiy afzalligi: -nisbatan qisqa ishlab chiqish vaqtida analog va raqamli mikrosxemalarning keng turlarini yaratish imkoniyati; -keng nomentkaluturaga ega bo‘lgan passiv elementlar hosil qilish imkoniyati; -MDYA – asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar va yuqori yaroqli mikrosxemalar chiqishi