Мирзаев жасурбек исраилович

Download 3,97 Mb. bet 11/35 Sana 11.07.2022 Hajmi 3,97 Mb. #774008 Turi Диссертация

Рис.1.2. E(kx) и плотность состояний для L=30 nm. а) B=4 T, b) B=6 T, c) B=11 T. В области 4–12 Т спиновые подзоны 00 и 01 резко изменяются, постепенно приобретая двух минимумную форму [15; C.1-7].

Рис.1.3. E(kx) и плотность состояний для L=60 nm. а) B=2 T, b) B=7 T, c) B=20 T. По сути, это двухслойная система с вращением вниз [15; C.1-7].

В работах [16; C.376-384. 17; C.1-10] выполнены расчеты физических свойств соединений тетраборатов NiB₄O₇ и CoB₄O₇ в трех структурных модификациях. Вычислены влияния давления на энтальпии соединений в исследуемых структурных модификациях. Так же был проведен расчет электронной зонной структуры и плотности электронных состояний для соединений NiB₄O₇ и CoB₄O₇ в рассматриваемых структурах (Рис.1.4). Вычисленные электронные плотности состояний и зонные структуры показали, что исследуемые соединения во всех рассматриваемых модификациях являются диэлектриками с шириной запрещенной зоны 3−4 eV (Рис.1.5).

В работе [18; C.308-312] получены результаты ab initio молекулярно-динамического исследования электронных и теплофизических свойств гидрата метана с кубической структурой КС-I. Исследованы температурные зависимости электронных свойств в рассматриваемых материала, включая уровень энергии Ферми, ширину и границы запрещенной зоны на основе анализа плотности энергетических состояний. На рис.1.6 показана плотность энергетических состояний и энергетические зоны для газового гидрата с кубической структурой КС-I при T = 200 K. Для различных газовых гидратов (CO₂, CO, CH₄ и H₂) [9] вычисленные плотности энергетические состояний N(E) находятся в хорошем качественном согласии с результатами квантово-механических расчетов. Для определения границ запрещенной зоны была выполнена процедура подгонки формы контуров линий спектра гауссовыми функциями. Аппроксимация пиков плотности электронных состояний, прилегающих к запрещенной зоне, позволила найти приближенное значение энергии верхней границы валентной зоны (E_Gmax) и нижней границы зоны проводимости (E_Gmin) [18; C.308-312]. Но в этих работах не исследовались влияния температуры и поперечного квантующего магнитного поля на осцилляции плотности энергетических состояний в гетероструктурах на основе квантовой ямы.


Рис.1.4. Плотности электронных состояний соединений NiB₄O₇ (a) и CoB₄O₇ (b) в структуре с группой симметрии Cmcm [16; C.376-384]

Рис.1.5. Плотности электронные состояний соединений NiB₄O₇ (a) и CoB₄O₇ (b) в структурах с группами симметрии Pbca и P6₅22 [16; C.376-384]

Рис.1.6. Плотность энергетических состояний и энергетические зоны для гидрата метана с кубической структурой КС-I при T = 200 K [18; C.308-312].
Кроме того, в работах [19; C.896-900. 20; C.104-110. 21; C.358-362. 22; C.61-68. 23; C.1137-1141; 24; C.1021-1024. 25; C.604-614. 26; C.895-900. 27; C.130-138] подробно исследовано изменение спектральной плотности состояний, плотности фононных состояний и плотности локализованных состояний по энергии в трехмерных, двумерных и одномерных кристаллических материалах при присутствии и при отсутствии квантующего магнитного поля. Как видно из приведенных работ, не разработаны конкретные моделей для вычисления осцилляции плотности энергетический состояний в квантово – размерных гетероструктурных материалах.

Download 3,97 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham: