Мирзаев жасурбек исраилович

Рис.1.10. Зависимость ширины запрещенной зоны нанотрубок
GaS и GaSe от обратного диаметра [53; C.908-913].
Ширина запрещенной зоны однозначно возрастает с ростом диаметра нанотрубок. В работе [54; C.1787-1794] методом химического осаждения из водных растворов синтезированы нанопорошки сульфида цинка ZnS и гетеронаноструктуры ZnS/Ag₂S. Измерены спектры диффузного отражения наноструктурированного ZnS и гетеронаноструктур ZnS/Ag₂S. На основе анализа полученных спектров оценена ширина запрещенной зоны E_g в изученных сульфидных наноструктурах. При уменьшении размера наночастиц от 10 до 2 nm величина E_g в нанопорошках ZnS увеличивается в диапазоне 3.17 – 3.36 eV. Рост содержания Ag₂S в гетеронаноструктурах ZnS/Ag₂S приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны и снижению интенсивности люминесценции.
В работе [55; С.1218-1223] рассмотрено фотолюминесценция нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра–Блоджетт при интервале температур 5 – 300 K. Температурная зависимость положения максимума высокоэнергетической полосы фотолюминесценции отличается от температурной зависимости ширины запрещенной зоны объемного CdS (Рис.1.11). Интегральная интенсивность фотолюминесценции данной полосы спадает при температурах от 5 до 75 K, увеличивается в диапазоне 150–230 K и уменьшается при температурах выше 230 K. Отличие температурной зависимости положения максимума высокоэнергетической полосы ФЛ нанокластеров от температурной зависимости ширины запрещенной зоны объемного кристалла CdS можно объяснить транспортом носителей заряда в локально связанных нанокластерах CdS различного размера. С повышением температуры происходит перераспределение неравновесных носителей заряда из больших нанокластеров в меньшие (рис.1.12). Экспериментальные данные объяснены в рамках модели рекомбинации неравновесных носителей заряда в нанокластерах CdS с учетом транспорта носителей заряда в локально связанных нанокластерах различных размеров.