Мазкур ўқув услубий мажмуа фаннинг ишчи ўқув дастури ва ишчи ўқув режасига мувофиқ ишлаб чиқилди

8.3 Асосий параметрлари ва иш режимлари. Майдоний транзисторлар қўлланиш соҳалари.
Тузилиши ва ишлаш принципи. n – канали индукцияланган МДЯ – транзистор тузилмаси 8.5,а-расмда, шартли белгиланиши эса 8.5,б-расмда кўрсатилган.
р – турли кремнийдан иборат асос суст легирланган бўлиб, акцепторлар концентрацияси тахминан 10¹⁵ см^-3 ни ташкил этади. Асос сиртида диффузия ёки ион легирлаш усуллари билан қалинлиги 1 мкм га яқин n⁺ – ўтказувчанликка эга бўлган чўнтаксимон исток ва сток соҳалар ҳосил қилинган. Исток ва сток орасидаги узунлиги L=0,1÷10 мкмни ташкил этувчи соҳа канал узунлигини ташкил этади. Яримўтказгич сиртида қалинлиги 0,05-0,1 мкмни ташкил этувчи диэлектрик (SiO₂) қатлам ҳосил қилинган. Диэлектрик сиртига затвор деб аталувчи металл электрод ўрнатилган. Исток ва сток соҳалари билан асос орасида иккита n⁺- p ўтишлар ҳосил бўлади. МДЯ тузилмага исток ва стокни қўшиш инверс қатлам (n - канал) ҳосил қилиш жараёнига кескин таъсир этади. Ўтишларнинг камбағаллашган соҳалари расмда штрихлаб кўрсатилган.
а) б)

8.5-расм. n – канали индукцияланган МДЯ – транзистор тузилмаси (а) ва n – ҳамда р – МДЯ транзисторларнинг график шартли белгиланиши (б).

Затвор металли билан яримўтказгич орасидаги солиштирма сиғим С₀ қанчалик катта бўлса, затвордаги U_ЗИ кучланиш яримўтказгичнинг сирти яқинида шунчалик кўп солиштирма заряд индукциялайди. Натижада, затвор билан каналнинг солиштирма сиғими канал ўтказувчанлигининг модуляцияланиш даражасини белгилайди, яъни затворнинг бошқариш хусусиятини аниқлайди. Шунинг учун канал билан затвор ҳосил қилган солиштирма сиғим МДЯ – транзисторнинг муҳим параметрларидан бирини ташкил этади. У қуйидаги ифода билан аниқланади:

, (8.7)
бу ерда, d – диэлектрик қалинлиги (8.2,а-расм), – диэлектрик сингдирувчанлик.
Солиштирма сиғимни ошириш учун диэлектрик қалинлиги камайтирилади. Бунда диэлектрикнинг тешилиши содир бўлиши мумкин.
Инверс қатлам (канал) ҳосил қилувчи U_ЗИ кучланиш бўсағавий U₀ кучланиш деб аталади.
Бошқарувчи кучланиш бўсағавий кучланишдан кичик (U_ЗИ < U₀), сток билан исток орасида кучланиш эса U_СИ ≠ 0 бўлсин. Бунда канал мавжуд эмас, сток n⁺- p ўтиш эса, тескари силжитилган бўлади. Шунинг учун сток занжирида ток жуда кичик, тахминан тескари силжитилган p–n ўтишнинг тескари токига тенг бўлади ва МДЯ – транзистор берк режимда ишлайди.
Затвордаги кучланиш U_ЗИ=0 дан U_ЗИ ≥ U₀ гача ўзгарганда, яримўтказгич сиртига яқин қатлам n – турли ўтказувчанликка эга бўлади. U_ЗИ=U₀ бўлганда инверс қатламда электронлар концентрациясига мувофиқ N_A=10¹⁵ см^-3 бўлганда n=10¹⁵ см^-3ни ташкил этади. Исток ва сток соҳалар юқори легирланган яримўтказгич бўлиб, уларда электронлар концентрацияси n_n ≈ 10¹⁸ см^-3 ни ташкил этади. Аммо бу ҳолда исток билан канал орасида электр ўтишнинг баландлиги =0,17 эВ бўлган потенциал барьер мавжуд. Шундай бўлишига қарамасдан, электронлар уни осон енгиб ўтади. Шунинг учун исток мавжуд бўлганда транзистордаги инверс қатлам истокдан каналга ўтувчи электронлар билан ҳосил қилинади. Инверс қатлам энди истокдан стокка инжекцияланган электронларнинг учиб ўтиш вақтида ҳосил бўлади. Электронларнинг каналдаги дрейф тезлиги , бу ерда, – каналдаги майдон кучланганлигининг бўйлама ташкил этувчиси. Натижада,
. (8.8)