Мазкур ўқув услубий мажмуа фаннинг ишчи ўқув дастури ва ишчи ўқув режасига мувофиқ ишлаб чиқилди

Дрейфли БТ базасида электронлар токи диффузия ва дрейф ташкил этувчиларидан ташкил топади:
,
бу ерда, n(x) – ихтиёрий х кесимда электронлар концентрацияси, – акцептор киритмалар концентрацияси N_A нотекис тақсимланган базада ички электр майдон кучланганлиги.
Инверс режимда КЎ тўғри йўналишда силжитилган бўлиб, электронлар коллектордан базага инжекцияланади. База соҳасидаги ноасосий заряд ташувчилар концентрацияси коллектордан эмиттерга камайиб боради ва бу ҳолда ток тескари йўналган бўлади. Тўйиниш режимида, иккала р-n ўтиш тўғри силжитилганда, р-n ўтишлар яқинида электронлар концентрацияси мувозанат ҳолатдагига қараганда юқори бўлади, шунинг учун n(x) концентрациянинг базада тақсимланиши 4-чизиқ билан ифодаланади. Ушбу тақсимланишни актив ва инверс режимлардаги концентрациялар тақсимланиши йиғиндиси сифатида кўрсатиш мумкин. Иккала р-n ўтишга тескари силжитиш берилган берк режимда, базанинг р-n ўтишларга яқин соҳаларида, электронлар концентрацияси амалда нолга тенг бўлиб, мувозанат ҳолатда базада тақисмланганга қараганда камроқ бўлади (5-чизиқ). р-n ўтишлар яқинида ҳосил бўладиган концентрация градиентлари р-n ўтишларнинг тескари токларини аниқлайди. Заряд ташувчиларнинг базада тақсимланишини билиш р-n ўтишларга берилган кучланишларнинг транзистор электродларидаги токлар қийматига таъсирини график равишда яққол кўрсатиш имконини беради. Юқорида келтирилган заряд ташувчилар тақсимланиши ўтишларга берилган кучланишлар таъсирида база соҳаси кенглигининг ўзгаришларини эътиборга олмаган ҳолда кўриб чиқилди. Реал БТларда р-n ўтишларга берилган кучланишлар таъсирида р-n ўтиш кенглиги ўзгаради, бу ўз навбатида база соҳаси кенглиги L_Б нинг ўзгаришига олиб келади. Агар р-n ўтишлар кенгайса, база тораяди ва аксинча бўлади. Ушбу ҳодиса Эрли эффекти ёки база кенглиги модуляцияси деб аталади.
Эрли эффекти қандай натижаларга олиб келиши мумкинлигини кўриб чиқамиз.
Актив режимда КЎдаги тескари кучланиш қиймати U_КБ ортган сайин база кенглиги L_Б кичиклашади. Бу ўз навбатида базага инжекцияланган электронлар концентрацияси градиентини оширади, натижада, эмиттер токи ортади. База кенглиги камайиши билан, эмиттер токининг рекомбинация ҳисобига йўқолиши камайиб, ташиш коэффициенти қиймати ортади.
Тўйиниш режимида эмиттер ва коллектордан базага электронлар инжекцияланади. Натижада, U_К ортиши билан ЭЎнинг электронлар токи кескин камаяди. Эмиттер самарадорлиги ҳам кескин камайиб, U_К = U_Э бўлганда =0 бўлади.
Берк режимда =0. Инверс режимда р-n ўтишлар вазифалари алмашади – КЎ бошқарувчи бўлиб, ЭЎ бошқарилувчи бўлиб қолади.

Назорат саволлари

1. Биполяр транзистор (БТ) нима?
2. БТнинг ишлаш принципини тушунтиринг.
3. БТ эмиттери, базаси ва коллекторининг вазифалари нималардан иборат?
4. n-p-n ва p-n-p турли БТлар ишлаш принципида фарқ борми?
5. БТнинг қандай уланиш схемаларини биласиз?
6. БТ асосий иш режимларини айтинг.
7. БТнинг турли уланиш схемаларида статик ВАХларида актив ва тўйиниш режимларини аниқланг.
8. Транзисторнинг ток узатиш коэффициенти нимани англатади? УБ ва УЭ уланган схемаларда ток узатиш коэффициентлари қийматларини солиштиринг.