Мазкур ўқув услубий мажмуа фаннинг ишчи ўқув дастури ва ишчи ўқув режасига мувофиқ ишлаб чиқилди

БТ статик кириш характеристикалари.
Кириш характеристикаси деб чиқиш кучланишининг берилган ва ўзгармас қийматларида, кириш токининг кириш кучланишига боғлиқлигини кўрсатувчи графикка айтилади.
УБ схема. УБ уланган схемада кириш токи бўлиб эмиттер токи I_Э, кириш кучланиши бўлиб эмиттер-база кучланиши U_ЭБ, чиқиш кучланиши бўлиб эса, коллектор-база кучланиши U_КБ хизмат қилади. Шунинг учун УБ уланган схеманинг кириш характеристикалари КЎдаги кучланиш U_КБ нинг белгиланган қийматларида I_Э=f (U_ЭБ) боғланиш орқали ифодаланади.
БТда эмиттер ва коллектор ўтишларнинг ўзаро таъсири ўтиш-ларга қуйилган кучланиш қутбларига боғлиқ. Масалан, актив режимда КЎ токи база-эмиттер кучланиши билан аниқланадиган ЭЎ токига боғлиқ. КЎ кучланишининг ЭЎ токига таъсири нисбатан сустроқ бўлади. Тўйиниш режимида иккала ўтиш базага заряд ташувчиларни инжекциялайди ва КЎнинг ЭЎ токига таъсири кучли бўлади.
Агар эмиттер токи I_Э да коваклар токи электронлар токига нисбатан фоизнинг улушларини ташкил этиши эътиборга олинса, симметрик тузилмали УБ уланган БТнинг кириш характеристикалар оиласини қуйидаги тенглама билан ифодалаш мумкин:
. (4.1)
U_КБ=0 бўлганда характеристика тенгламаси
, (4.2)

кўринишга эга бўлиб диод ВАХига ўхшайди. Шунга қарамасдан, диодда I₀ 1/L га, транзисторда эса I₀ 1/L_Б эканлигини эътиборга олиш лозим. Актив режимда ни эътиборга олмаса ҳам бўлади, унда

. (4.3)
Кўриниб турибдики, УБ уланган схемада кириш характеристикаси ординаталар ўқида I₀ кесма кесувчи экспонента орқали ифодаланади. КЎга берилган тескари кучланиш қиймати ортган сари Эрли эффекти ҳисобига база кенглиги камаяди, I₀ эса, ортади, чунки I₀ база кенглиги L_Б га тескари пропорционал боғланган. Шу сабабли, U_КБ ортиши билан кириш характеристикалари чапга ва юқорига силжийди (4.5-а расм).