LABORATORIYA ISHI
MTda yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq etish Ishdan maqsad: Maydoniy tranzistorda yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq qilish va parametrlarini o'lchash.
p–n o'tish bilan boshqariladigan MT yoki kanali qurilgan MDYA–tranzistorlar asosidagi kuchaytirgichlar asosan, kirish kaskadlari sifatida qo'llaniladi. Bu hol MTlarning quyidagi xususiyatlari bilan bog'liq: - katta kirish qarshiligiga egaligi yuqori Omli signal manbai bilan moslashtirishni osonlashtiradi; - shovqin koeffitsientining kichikligi kuchsiz signallarni kuchaytirishda afzallik beradi; - termobarqaror ishchi nuqtada barqarorlik yuqori..
Ukir2=14.26 Uchiq=28.91
Rc=2.5 kOm Rи=1kOm
Ucи=Ic*Rc Uc=4*0.001 A*2.5*1000Om=10 V
Em=10V + 4*0.001 A*2.5*1000Om+4*0.001 A*1000Om=24 V
Uзи=-Ic*Rи Uзи=-4*0.001A *1000Om=-4V
Nazorat savollari. Maydoniy tranzistor (MT) deb nimaga aytiladi va nima uchun uni unipolyar tranzistor deb ham atashadi?
MTlarning turlarini keltiring.
MTning qanday ulanish sxemalarini bilasiz?
MT asosiy ish rejimlarini ayting.
Elektron ko’chaytirgichlar qaysi belgilariga ko’ra tssniflanadi?
Kuchaytirgichlarning asosiy xarakteristika va parametrlarini aytib bering. Ularning o'ziga xos xususiyatlari nimada?
Javoblar. Maydoniy tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o'tkazuvchi kanaldagi elektr o'tkazuvchanligikni o'zgartirish hisobiga elektr maydon o'zgarishi bilan boshqariladigan yarim o'tkazgichli aktiv asbobga aytiladi. Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo'ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo'lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. Shuning uchun ular yana unipolyar tranzistorlar deb ham ataladi. Maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o'tkazuvchanligiga ko'ra ikki turi mavjud: p–n o'tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall – dielektrik – yarim o'tkazgichli (MDYA) tuzilishga ega bo'lgan zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar. Ular MDYA- tranzistorlar deb ham ataladilar.
Tuzilmasi va kanal sohasi o‘tkazuvchanligini boshqarish usuliga ko‘ra MTlam ing bir-biridan farqlanuvchi uchta turi bor. 2.1 Zatvori izolatsiyalangan MTlarda metall zatvor va kanal orasida yupqa dielektrik qatlam mavjud. Bunday MT metall — dielektrik — yarim o'tkazgich (MDY ) tuzilmaga egaligi sababli MDY — tranzistor deb ham ataladi. U ning kanali qurilgan va kanali induksiyalangan turlari mavjud bo’lib : birinchi turdagi tranzistorlarda kanal sohasi texnologik usul bilan hosil qilinadi, ikkinchisida esa — kanal sohasi zatvorga ma’lum qutbli va qiymatli kuchlanish berilganda hosil bo‘ladi (induksiyalanadi). Ko‘ndalang elektr maydon yupqa dielektrik orqali o'tib, kanaldagi zaryad tashuvchilar konsentratsiyasini boshqaradi. 2.2 Shottki barerli MTlarda metall bilan yarim o‘tkazgichning bevosita kontakti zatvor sifatida ishlatiladi. Ishchi rejimda to‘g‘rilovchi kontaktga teskari siljituvchi kuchlanish beriladi. U kontakt ostidagi yarim o‘tkazgichning kam bag'allashgan sohasi qalinligini o’zgartirib, asitok o'tkazuvchi kanal kengligi, kanaldagi zaryad tashuvchilar soni va undan oqadigan tok qiymatini boshqaradi.. 2.3 p —n oltish bilan boshqariluvchi MTlarda zatvor sifatida kanal o‘tkazuvchanligiga nisbatan teskari o'tazuvchanlikka ega yarim o‘tkazgichdan foydalaniladi. Natijada ular orasida p~n o‘tish hosil bo‘lib, ishchi rejimda ushbu p—n o‘tish teskari siljitiladi. Bunda zatvordagi kuchlanish boshqaruvchi p~n o‘tishning kam bag‘allashgan sohasi kengligini va shu bilan tok o‘tkazuvchi kanal sohasining ko‘ndalang kesimini, undagi zaryadlar sonini o‘zgartiradi va natijada kanaldagi tok qiymati o’zgaradi. p —n o‘tish kam bag‘allashgan sohasi kengligining o‘zgarishi, Shottki barer balandligi va ikkala tranzistorlarning asosiy xususiyatlari bir xil bo’lgani sababli, bundan buyon zatvor sifatida faqat p —n o‘tishdan foydalanadigan MTlarni o‘rganiladi.
MTlarning ulanish sxemalari rasm da ko‘rsatilgan: umumiy istok ( UI), umumiy stok ( US) va umumiy zatvor ( UZ) ulanish. Asosiy ulanish sxemasi bo‘lib UI ulanish xizmat qiladi.
Agar UZI = 0 bo'lganda USI kuchlanish o'rnatilsa, u holda kanal orqali elektronlar hisobiga tok oqib o'tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish berilsa, kanalda ko'ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uningta'sirida kanaldan elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag'allashib boradi, uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha katta bo'lsa, bu tok shuncha kichik bo'ladi. Tranzistorning bunday rejimi kabag'allashish rejimi deb ataladi. Agar zatvorga musbat kuchlanish ta'sir ettirilsa, hosil bo'lgan elektr aydoni ta'sirida, istok va stok, hamda kristalldan kanalga elektronlar kela boshlaydilar, kanalning o'tkazuvchanligi va shu bilan birga stok toki ortib boradi. Bu rejim boyish rejimi deb ataladi. Ko'rib o'tilgan jarayonlar (a-rasm)da keltirilgan statik stok – zatvor xarakteristikada: USI=const bo'lgandagi IS= f(UZI) bilan ifodalangan. UZI >0 bo'lganda tranzistor boyish rejimida, UZI
Elektron kuchaytirgichlarning o’ziga xos xususiyatlari shundaki, ular yuqori sezuvchandir, ular juda kam quvvat kuchaytiradigan signallarga ega. Shu sababli, electron kuchaytirgichlardan foydalanish ayniqsa sezgir elementlar yoki sensorlarning chiqish quvvati juda kichik bo’lgan holatlarda tavsiya etiladi (bir necha mikroto’lqinlar tartibida.) Avtomatik boshqaruv tizimlarida to’g’ridan to’g’ri va o’zgaruvchan tokning bir bosqichli va ko’p bosqichli electron kuchaytirgichlar qo’llaniladi
Analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda UI sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o'zida tok yoki kuchlanish, hamda tok va kuchlanish bo'yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar.
