Kampiyuter injinering

U_KIR= U⁰ va U_KIR= U¹ larga mos keluvchi kirish toklari I⁰_KIR va I¹_KIR ;

xalaqitlarga bardoshligi – yuqori U¹_XAL va past U⁰_XAL kirish kuchlanish darajasi bo‘yicha mumkin bo‘lgan maksimal xalaqit kuchlanish qiymati;

manbadan iste’mol qilinayotgan quvvat R;

Ye_M kuchlanish va I_M tok manbalari;

«0» holatdan «1» holatga, yoki aksincha o‘tishdagi qayta ulanish kechikish vaqti;

qayta ulanishlarning (tezkorlik) o‘rtacha kechikish vaqti - 0,5(t⁰_K + t¹_K).

Zamonaviy statik tizimlarning asosiy negiz elementi bo‘lib Shottki diodlari qo‘llanilgan TTM, I²M, EBM, MDYa – tranzistorlarda (yoki r – kanalli MDYa, yoki n – kanalli MDYa) yasalgan mantiq, komplementar MDYa – tranzistorlarda (KMDYa) yasalgan mantiq elementlari hisoblanadi.

Raqamli integral mikrosxema negiz elementlariga qo‘yiladigan asosiy talab – ularninng tezkorligi, kichik sochilish quvvati, katta joylashtirish zichligi (yagona kristall sirtida joylashgan elementlar soni) va tayyorlanishni texnologikligi hisoblanadi.

Yuqorida sanab o‘tilgan negiz elementlar, u yoki bu, yoki bir necha parametrlariga ko‘ra bir – biridan ustun tursa, boshqa parametrlariga ko‘ra yomonroq hisoblanadi.

IMS negiz mantiqiy elementi asosi bo‘lib, qayta ulagichlar sifatida qo‘llaniladigan biror elektron kalit hizmat qilishi mumkin. Qayta ulagichlar sifatida qo‘llaniladigan yarim o‘tkazgichli asboblarga quyidagi umumiy talablar qo‘yiladi: birdan katta bo‘lgan kuchaytirish koeffisienti; axborot uzatish tizimining bir tomonlamaligi; kirish va chiqish bo‘yicha katta tarmoqlanish koeffisientlari; qayta ulanishlarning katta tezligi; kichik iste’mol quvvati. Elektron kalitlar sifatida kremniyli bipolyar va maydoniy tranzistorlar qo‘llaniladi. Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalitlar kichik sochilish quvvatiga ega bo‘lsalar, bir vaqtning o‘zida bipolyar tranzistorlarda bajarilgan elektron kalitlarning qo‘llanilishi ularning tezkorligini oshirishga imkon yaratadi.