K 21-20 guruh talabasi Jabborov Islombek

Andijon Mashinasozlik Instituti Texnologik jarayonlar boshqaruvi va kompyuter tizimlari fakulteti Axborot tizimlari va texnologiyalari yo’nalishi K 21-20 guruh talabasi Jabborov Islombekning Elektronika va sxemotexnika fanidan tayyorlagan

MUSTAQIL ISHI

MAVZU: ELEKTRON – KOVAK O’TISH (r-n o’tish)

1. R -n o’tishning xosil bo’lishi
Yarim o’tkazgichli asboblarning ko’pchiligi bir jinsli bo’lmagan yarim o’tkazgichlardan tayyorlanadi. Xususiy xolatda bir jinsli bo’lmagan yarim o’tkazgich bir sox,asi r-turdagi, ikkinchisi esa n-turdagimonokristaldan tashkil topadi.
Bunday bir jinsli bo’lmagan yarim o’tkazgichning r va n - sox,alarining ajralish chegarasida x,ajmiy zaryad qatlami x,osil bo’ladi, bu sox,alar chegarasida ichki elektrmaydoni yuzaga keladi va bu qatlam elektron — kovak o’tish yoki r-n o’tish deb ataladi. Ko’p sonli yarim o’tkazgichli asboblar va integralmikrosxemalarning ishlash printsipi r-n o’tish xossalariga asoslangan.
R-n o’tish x,osil bo’lishmexanizmini ko’rib chiqamiz. Soddalik uchun, n-sox,adagi elektronlar va r- soxadagi kovaklar sonini teng olamiz. Bundan tashqari, x,ar bir sox,ada uncha katta bo’lmagan asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarmiqdorimavjud. Xona temperaturasida r-turdagi yarim o’tkazgichda aktseptormanfiy ionlarining kontsentratsiyasi Na kovaklar kontsentratsiyasi rr ga, n-turdagi yarim o’tkazgichda donormusbat ionlarining kontsentratsiyasi Nd elektronlar kontsentratsiyasi nn ga teng bo’ladi. Demak, r- va n-sox,alar o’rtasida elektronlar va kovaklar kontsentratsiyasida sezilarli farqmavjudligi tufayli, bu sox,alar birlashtirilganda elektronlarning r -soxaga, kovaklarning esa n-sox,aga diffuziyasi boshlanadi.
Diffuziya natijasida n- sox,a chegarasida elektronlar kontsentratsiyasi musbat donor ionlari kontsentratsiyasidan kam bo’ladi va bu soxa musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning o’zida r-soxa chegarasidagi kovaklar kontsentratsiyasi kamayib boradi va u aktseptor kiritmasi bilan kompensatsiyalangan ion zaryadlari x,isobigamanfiy zaryadlana boshlaydi (1-rasm).musbat va manfiy ishorali aylanalarmos ravishda donor va aktseptor ionlarini tasvirlaydi.
Xosil bo’lgan ikki xajmiy zaryad qatlami r-n o’tish deb ataladi. Bu qatlam xarakatchan zaryad tashuvchilar bilan kambag’allashtirilgan. Shuning uchun uning solishtirma qarshiligi r- va n-soha qarshiliklariga nisbatan juda katta. Bazi adabiyotlarda bu qatlam kambag’allashgan yoki i - soha deb ataladi.
Xajmiy zaryadlar turli ishoralarga ega bo’ladilar va r-n o’tishda kuchlanganligi E ga teng bo’lgan elektrmaydon hosil qiladilar. Asosiy zaryad tashuvchilar uchun bu maydon tormozlovchi bo’lib tasir ko’rsatadi va ularni r-n o’tish bo’ylab erkin harakat qilishlariga qarshilik ko’rsatadi. 1-rasmda o’tish yuzasiga perpendikulyar bo’lgan, X o’qi bo’ylab potentsial o’zgarishi ko’rsatilgan. Bu vaqtda nol potentsial sifatida chegaraviy soha potentsiali qabul qilingan.