Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

4. Формирование омических контактов к стоку и истоку n–
канального транзистора. 
 Фотолитография по слою оксида для формирования омических 
контактов к n
+ 
стоку и истоку; 
 Ионная имплантация фосфора через оксидную маску; 
 Разгонка примеси; 
5. Формирование омических контактов к стоку и истоку p–
канального транзистора. 
 Фотолитография по слою оксида для формирования омических 
контактов к p
+ 
стоку и истоку; 
 Ионная имплантация бора через оксидную маску; 
 Разгонка примеси; 
6. Формирование затвора. 
 Фотолитография по слою оксида для формирования затвора 
транзистора; 
 Окисление под затвор; 
 Наращивание поликристаллического кремния; 
 Диффузия фосфора; 
 Снятие фосфорносиликатного стекла; 
 Фотолитография по слою поликристаллического кремния; 
7. Формирование контактов. 
 Фотолитография по слою оксида (вскрытие окон под контакты); 
 Нанесение газофазного окисла; 
 Фотолитография по слою оксида (вскрытие окон под контакты); 
8. Формирование слоя коммутации. 
 Распыление магнетронное (нанесение слоя алюминия); 

---

119 
 Фотолитография (формирование шин коммутации и контактных 
площадок для монтажа кристаллов с микросхемой в корпус); 
 Нанесение газофазного окисла (защита поверхности кристалла с 
микросхемой от окружающей среды); 
 Фотолитография (вскрытие окон к контактным площадкам и 
полосам кремния на поверхности подложки для разделения её на 
кристаллы с микросхемами). 
5.2.2. Особенности конструкции КМОП-пары транзистора
На рис. 5.7 приведена схема сечения участка кристалла ИС, на котором 
располагается два взаимодополняющих МОП-транзистора в изолированных 
областях («карманах»). Левый «карман» легирован на большую глубину 
акцепторной примесью для формирования в нем n-канального МОП-
транзистора. В правом «кармане» сохраняется исходный кремний, имеющий 
электронную проводимость. В каждом кармане создаются стоки и истоки 
транзисторов, а также противоинверсные области, являющиеся частью 
изоляции смежных структур. 
Рис. 5.7 Схема сечения участка кристалла
Другой 
важной 
особенностью 
планарной 
структуры 
КМОП 
интегральных схем серии 590, является сложность её технологического 

---

120 
процесса, приведённая в предыдущем разделе и в таблице 5.1. Об этом же 
свидетельствует и таблица 5.1. 
Таблица 5.1. Основные конструктивно-технологические характеристики 
слоёв кристалла комплементарной пары МОП транзисторов, 
приведённых на рис.5.7.  

---

121 
Сложность 
технологии 
изготовления 
микросхем 
этой 
серии 
характеризуется не только процессами, приведёнными в таблице 5.1, но и 
процессами фотолитографии, которые не вошли в таблицу и которых в 
технологическом процессе насчитывается не менее 15. Если же учесть, что 
каждый процесс фотолитографии включает не менее 10 технологических 
операций, то станет понятной справедливость утверждения о сложности 
технологического процесса.
Н
едостатком данной серии микросхем является их невысокое 
быстродействие. Это связано с тем, что возникает паразитная емкость шин 
коммутации. Поскольку данная серия ИС является высоковольтной, 
необходимо чтобы межслойная изоляция, диэлектрик затвора и защитный 
окисел были довольно большой толщины. В данной серии толщина 
межслойной изоляции примерно 0,65 мкм, диэлектрика затвора 0,12 мкм, а 
защитного окисла 0,17 мкм. На участках, которые покрыты слоем оксида 
кремния толщиной 0,12 мкм и 0,65 мкм, возникает наибольшая вероятность 
возникновения паразитной емкости. На остальных участках вероятность 
возникновения емкости не так велика, но также возможна.