InSb ning metallorganik kimyoviy bug'larning cho'kishi o'sishi

InSb ning metallorganik kimyoviy bug'larning cho'kishi o'sishi.
InSb ning o'sishi InSb, GaAs va GaAs bilan qoplangan kremniy substratlarda past bosimli metallorganik kimyoviy bug 'cho'kmasi bilan amalga oshirilgan. 3.2-jadvalda o'sish parametrlari va shartlari umumlashtirilgan.InSb ning past erish harorati (525 ◦C) sirt yomonlashishini oldini olish uchun odatda 475◦ C dan yuqori bo'lmagan past o'sish haroratini talab qiladi. InSb plyonkalarining o'sish tezligi soatiga taxminan 1 mkm va plyonka qalinligi 0,7 mkm dan 6,3 mkm gacha bo'lgan.
GaAs (111) ustida InSb ning molekulyar nur epitaksial o'sishi.
InSb ning GaAs(111) da o'sishi o'rganilgan [19], chunki to'g'ri passivlangan (111) sirtlar pastroq rekombinatsiyaga ega va (100) sirtga qaraganda yaxshiroq elektr izolyatsiyasini ta'minlaydi [20]. GaA(111) larda InSb o'sishi uchun optimal sharoitlarni aniqlash uchun o'zgaruvchan o'sish sharoitlari Sb/In nisbati va substrat harorati edi.Sb/In nisbati 1,0 dan 1,5 gacha, substrat harorati esa 380 ◦C dan 460 ◦C gacha o'zgargan.(100) sirtga nisbatan (111) yuzalarida InSb o'sishi uchun maqbul sharoit har xil ekanligi aniqlangan.Berilgan Sb/In nisbati uchun optimal o'sish harorati (111) sirtlarida InSb o'sishi uchun (100) sirtga qaraganda yuqori ekanligi aniqlangan.Bu farq sirtdagi bog'lanish xususiyatlariga bog'liq.(111) yuzasida Sb atomlari uchun uchta osilgan bog'lanish va In atomlari uchun bitta osilgan bog' mavjud bo’lgan, holbuki (100) sirt ikkala atom uchun ikkitadan bog'lanishga ega edi.Substrat harorati 3.19-rasmda ko'rsatilganidek, kristallikka qalinlikdan ko'ra ko'proq ta'sir qiladi. Optimal kristallik 420 dan 440 ◦C gacha bo'lgan o'sish harorati bilan olingan, holbuki (100) uchun optimal kristallik 395 ◦C da o'stirilgan namunalar uchun olingan.Shunga qaramay, optimal o'sish haroratidagi farq, ehtimol, yuzalardagi bog'lanishlarning farqiga bog'liq bo’lgan.
InAsSb ning metallorganik kimyoviy bug'larning cho'kishi o'sishi.
InAsSb o'sishini tekshirish uchun 30 daqiqa davomida o'stirilgan InSb bufer qatlamidan va 2 soat davomida InAsSb qatlamidan iborat sinov tuzilmasi qabul qilingan.InSb bufer qatlamlari InSb tekshiruvi natijasida aniqlangan optimal sharoitlarda o'stirilgan.InAsSb qatlamlarining o'sishi quyidagi ketma-ketlikda amalga oshirilgan.Birinchidan, TMIn oqimi InSb o'sishini to'xtatish uchun shamollatish liniyasiga yo'naltirilgan.Keyin TMSb to'lib ketishi ostida TMIn ning oqim tezligi InSb o'sishi uchun dastlabki qiymatning taxminan 90% gacha kamaygan.InAsSb o'sishi uchun V/III nisbatini oshirish kerakligi eksperimental ravishda aniqlangan. Uchinchi bosqichda o'sish kamerasiga Arsenid oqimi kiritilgan. TMIn InAsSb o'sishini boshlash uchun oxirgi qadam sifatida o'sish kamerasiga yo'naltirilgan. Ushbu qatlamlarning o'rtacha o'sish tezligi taxminan 0,8 mkm/soat edi.
InAsSb, AlInSb va GaInSb ning molekulyar nur epitaksial o'sishi.
Yuqorida aytib o'tilganidek, 8-12 mikron to'lqin uzunligi mintaqasini qamrab oluvchi infraqizil detektor materialida katta hajmdagi ish mavjud.Biroq, 8 mkm atrofida kesilgan to'lqin uzunligini talab qiladigan ilovalardan biri bu o'q otish moslamasi.Atmosferada 5-8 mkm mintaqada so'rilishi sababli, snaryad fuzesi issiq obyektni unga yaqin bo'lmaguncha aniqlamaydi.
O'sish xarakteristikasi.
InAsSb ning o'sishi, ayniqsa yuqori Sb tarkibi uchun, InSb o'sishiga juda o'xshashdir.Qatlamlar GaAs substratida V/III nisbati 1,2 bo'lgan qattiq manba molekulyar nurli epitaksiya tizimi yordamida o'stirilgan.Tarkibi In va Sb kataklarini kalibrlash orqali nazorat qilingan va As ning ortiqcha bosimidan foydalanib, to'g'ri kompozitsiyani olish uchun substrat harorati o'zgartirilgan, bu esa infraqizil pirometri tomonidan aniqlangan 400 ◦C optimal haroratga olib kelgan.
InTlSb ning metallorganik kimyoviy bug'larning cho'kishi o'sishi.
InTlSb ning o'sishi InSb, GaAs va GaAs bilan qoplangan kremniy substratda past bosimli metallorganik kimyoviy bug 'cho'kmasi bilan amalga oshirildi. Prekursorlar sifatida TMIn, TMSb va CPTl ishlatilgan.Struktura bir soat davomida o'stirilgan InSb bufer qatlamidan va yana bir soat davomida o'stirilgan InTlSb qatlamidan iborat edi.InSb bufer qatlamlari InSb tadqiqotlari natijasida aniqlangan optimal sharoitlarda o'stirildi.InTlSb o'sishi birinchi bo'lib boshqa o'sish parametrlarini o'zgartirmasdan CPTl ning kichik oqimini kiritish orqali amalga oshirildi.InTlSb ning o'sishi tekshirilgandan so'ng, turli xil x tarkibidagi In _1-x Tl_xSb qotishmalarini olish uchun har xil miqdordagi Tl yuborildi.Bunga ham pufakcha haroratini, ham CPTl oqim tezligini o'zgartirish orqali erishildi.5.1-jadvalda InTlSb uchun o'sish shartlari jamlangan.
InSbBi ning metallorganik kimyoviy bug'larning cho'kishi o'sishi.
InSbBi qotishmasining o'sishi uchun InSb buferi birinchi bo'lib InSb tadqiqotlari natijasida aniqlangan optimal o'sish sharoitlarida o'stirildi.Keyin InSbBi ning o'sishiga, asosan, InSb ning optimal o'sishi sharoitida TMBi ning kichik oqimiga kirishga harakat qilindi.Yaxshi sifatli plyonkalarni olish uchun harorat, bosim va V/III nisbati kabi o'sish sharoitlari o'zgartirildi.InSbBi dagi eng yuqori Bi konsentratsiyasiga o'sish harorati 456 ◦C, o'sish bosimi 76 torr va V/III nisbati 13 bo'lganida erishildi.Ushbu qatlamning o'sish tezligi taxminan 1,3 mkm / soat edi.