Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebranishlari qo'llaniladi

MDP-tranzistor asosli integral mantiqiy sxemalarning bazaviy elementlari. Quyida MDP- transistor asosli integral mantiqiy sxemalarning asosiy ikki turi ko’rib chiqilgan.
1.18-rasm. TTMSH mantiq mikrosxemasining bazaviy elementi:
a – sxema; b – Shottki tranzistorining ekvivalent sxemasi


Bir tipli MDP – transistor asosida yaratilgan mantiqiy sxemalar. Bu sxemalarda faqat bir tipdagi tranzistorlardan yoki p – kanalli, yoki n - kanallilardan foydalaniladi. Amaliyotda ko’proq n-kanalli MDP - tranzistorlar qo’llaniladi, sababi, bu tipdagi tranzistorlar yuqoriroq tezlikni ta'minlaydi. Mantiqiy YOKI-YO’Q va VA-YO’Q elementlarning n-kanalli MDP – tranzistor asosidagi tipik sxemalar 1.19, a, b-rasmda keltirilgan. Bu sxemalarda VT_a1 va VT_a2 - aktiv (boshqaruvchi) tranzistorlar, VT_yuk - yuklamali tranzistordir.

1.19-rasm. MDP – transistor asosidagi mantiqiy elementlar:
a - YOKI-YO’Q; b - VA-YO’Q


YOKI-YO’Q elementining uzatish xarakteristikasi 1.20-rasmda, chiqish volt-amper xarakteristikasi esa 1.21-rasmda keltirilgan. Aktiv tranzistorlarning VT_a1 va VT_a2 (U_kir < U₀, U₀- chegaraviy kuchlanish) zatvorlaridagi kuchlanishlarning kichik qiymatlarida, bu tranzistorlar yopiq holda bo'ladi va stok toki nolga teng bo'ladi. Chiqishda yuqori potensial o'rnatiladi U¹_chiq =E - U₀ – mantiqiy bir darajasiga teng bo’ladi. VT_a1 yoki VT_a2 tranzistor zatvorlaridagi kirish kuchlanishi, U₀ – chegaraviy kuchlanishdan katta bo'lsa, shu qiymatga to’gri keladigan tranzistor ochiladi va stok toki o'ta boshlaydi. U_kir kuchlanishini keyingi qiymatining ortishi, U_chiq kuchlanishining kamayishiga olib keladi. Mantiqiy nolning kichkina qiymatiga erishish uchun, VT_a1 (yoki VT_a2) ochiq tranzistorning kanal qarshiligi, VT_yuk tranzistorning kanal qarshiligidan ancha kichik bo'lishi kerak. Xususan, eng zarur shartlardan bo’lib, VT_a1 tranzistor, VT_a2 tranzistor kabi, volt-amper xarakteristikasining ko’tarilish qismida ishlashi kerak, VT_yuk tranzistori esa – pasayishi qismida ishlashi kerak:
,

bu yerda, b_a va b_yuk – aktiv va yuklamali tranzistorlarning solishtirma o’zgarish darajasi.
Hisob-kitoblarni soddalashtirish uchun, tranzistorning chegaraviy kuchlanishlarini bir xil deb olib, uni U₀ teng deb olamiz (nisbatan aniq hisob-kitob uchun U₀ kuhlanish qiymatining istok bilan podlojka orasidagi kuchlanishiga bog'liqligini hisobga olish zarur, chunki har xil integral sxema tranzistorlari uchun bu qiymat har xil bo’ladi). Bir tipli MDP tranzistorlar asosidagi integral mantiqiy sxemalarning asosiy parametrlarini hisoblash uchun analitik ifodalar 1.6-jadvalda keltirilgan.
1.6.-jadval