Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebranishlari qo'llaniladi

MDP – tranzistor asosli kalitlar. Uch turdagi MDP tranzistorli kalitlar keng ommaga tarqalgan bo’lib, ulardan: rezistiv yuklamali, dinamik (tranzistorli) yuklamali va komplementar (qarama-qarshi o'tkazuvchanlik turiga ega kanalli tranzistorlar). Berilgan bo'limda kalitlarning faqatgina birinchi turi ko'rib chiqilgan. Kalitlarning boshqa ikki turi asosan integral sxemalarda ishlatiladi. Rezistiv yulkamali MDP – tranzistorli kalitning sxemasi 1.9.-rasmda ko'rsatilgan.

1.9-rasm. Rezistiv yulkamali MDP turli tranzistorli kalit

Kalitni yopish uchun zatvorga E_z.yop < U₀ kuchlanishi uzatiladi, bu yerda U₀ - chegaraviy kuchlanish; kalitni ochish uchun E_z.och. > 0 kuchlanishi beriladi (odatda mantiqiy sxemalarda E_z.yop = U₀, E_{z. och.} =E_s). Kalitning chiqish volt – amper xarakteristikasi 1.10. - rasmda keltirilgan. Punktir chizigining chapida U_si=U_zi-U₀ tavsiflarning keskin o’zgarish sohasi joylashgan, o'ngda esa ko’tariluvchi soha joylashgan, bu yerda (U_si - stok va istok orasidagi kuchlanish, U_zi-zatvor va istok orasidagi kuchlanish). Keskin o’zgarish sohasidagi stok toki quyidagi ifoda bilan aniqlanadi:

I_s=b[(U_zi - U₀) U_si - U²_si]. (1.9)
Ko’tariluvchi sohada esa stok toki quyidagi ifoda bilan aniqlanadi:
I_s= (U_zi- U₀) ².
Bu erda b = µS₀ - solishtirma qiyalik darajasi, µ - zaryad tashuvchilarning kanaldagi harakatchanligi, S₀ - zatvor osti dielektrikning solishtirma sig’imi, w - kanalning kengligi, L - kanal uzunligi.
O'chirilgan holatda (1.10-rasmda A nuqta) kalit qoldiq tok I_qol bilan tavsiflanadi, yoqilgan holatda esa (B nuqta) qoldiq kuchlanish U_qol bilan tavsiflanadi.
O'chirilgan holatda I_qol tipik qiymati 10^-9 - 10^-10A tashkil etadi. Kalitning yoqilgan holatida esa, to'yinish stok toki I_c.t sxemaning tashqi elementlari bilan aniqlanadi:

I_s.t = .

1.10-rasm. Maydonli tranzistor asosidagi kalitning chiqish volt – amper tavsiflari

Kuchlanishning U_si kichik qiymatlarida, (1.9) formuladagi ikkinchi hadni U_si² hisobga olmaymiz. Bu ifodani differensiallab, quyidagini topamiz:

G_k = = (1.10)
U_zi=E_yo’q deb faraz qilgan holda, topamiz:
(1.11)

MDP - tranzistorli kalitlarning tezkorligi asosan parazit sig'imlarning qayta zaryadlanish vaqti bilan shartlanadi.

MDP - tranzistorli kalitlning parazit sig'imlari 1.11-rasmda ko'rsatilgan bo’lib, bu yerda VT1 tranzistor asosli kalit sxemasi, u bilan bir hil bo’lgan VT2 kalitiga yuklangan bo’lib, bitta yigindili sig'imga ega ekvivalent sxema bilan almashtiriladi:


C_chiq=C_st + C_m + C_zk + C_zi + C_zsK_u.

Bu yerda C_ct – stok-taglikning p-n o’tishdagi sigimi; C_m - o'tkazgichlarning montaj sig'imlari; C_zk – zatvor-kanal sig'imi; C_zi - zatvor-istok sig'imi; C_zs - zatvor-stok sig'imi; K_u - ikkinchi kalitning aktiv rejimda ishlash mobaynidagi kuchaytirish koeffitsiyenti.

Rezistiv yuklamali kalitning yoqilish vaqt muddatini t_yoq. Quyidagi formula bilan aniqlash mumkin:
T_yoq.= 1,5 ,
bu yerda
I_s(0)= (E_z.yoq. - U₀)².
O’chirilish vaqt muddati quyidagi formula bilan aniqlanadi:
t_o’ch = 2,2 R_sS_chiq.
Kalitning tezkorligini oshirishning asosiy yo'li bo’lib, C_chiq sig'imni kamaytirilishi hisoblanadi. Sig'im oldindan berilgan bo’lsa, uning tezkorligiga I_c(0) ishchi tokni oshirish hisobiga erishish mumkin, U₀ kuchlanishni kamaytirish yo'li bilan ham amalga oshirish mumkin.