Ijdiie volume: 02 Issue: 02

INTERNATIONAL JOURNAL OF DISCOURSE ON 

INNOVATION, INTEGRATION AND EDUCATION 

 

Volume: 02 Issue: 02

 | 

February 2021

 

ISSN: 2181-1067 

 

http://summusjournals.uz/index.php/ijdiie 

 

---

 

IJDIIE                           Volume: 02 Issue: 02 | February 2021

 

 

 

 

573

 

Published by “ INTER SCIENCE" http://ihm.iscience.uz/index.php/ijihm 

 

 

Yarim  o‘tkazgichlarga  shunday  materiallar  kiradiki,  ularning  xona  haroratidagi  solishtirma  elektr 

qarshiligi  10

-5

 dan  10

10 

om  sm  gacha  bo‘ladi.  (yarim  o‘tkazgichli  texnikada  1  sm

3

 hajmdagi  materialning 

qarshiligini o‘lchash qabul qilingan). Yarim o‘tkazgichlar soni metall va dielektriklar sonidan ortiq, juda ko‘p 

hollarda  kremniy,  arsenid  galliy,  selen,  germaniy,  tellur  va  har  xil  oksidlar,  sulfidlar  va  karbidlar  kabi 

yarimo‘tkazgich materiallardan foydalaniladi. 

Yarim o‘tkazgich materiallarining elektrofizik xususiyatlarini o‘rganish asosida yangi fizik asboblar 

yaratish  imkoniyati  tug‘iladi.  Ayniqsa,  qattiq  jismlar  fizikasining  yarim  o‘tkazgichlar  fizikasi  qismini 

o‘rganadigan  materiallar  asosida  hozirgi  zamon  talablariga  javob  beradigan  fizik  asboblar  va  qurilmalar 

yaratiladi. 

Elementar  yarim  o‘tkazgich  bo‘lgan  kremniy  va  germaniy  elementlaridan,  shuningdek  murakkab 

strukturali  yarim  o‘tkazgichlar  xususiyatlarini  o‘rganish,  ularning  tashqi  ta’sir  ostida  xususiyatlari 

o‘zgarishini kuzatish orqali ham kerakli xossalarga ega bo‘lgan asboblar yaratish imkoniyati tug‘iladi. 

FE turiga qarab FEning chiqish xarakteristikalari tahlili quyidagilarni o’z  ichiga oladi:  

1.  FEning  volt-amper  xarakteristitkalari  standart  sharoitlarda  (elementlar    temperaturasi  250  S, 

tushayotgan  yorug’lik  oqimi  zichligi  birga  teng,    Yorug’likning  spektral  tarkibi  AM1  yoki  AM2  bo’lganda), 

fazoviy quyosh  batareyalari uchun esa – 1MeV energiyali elektronlar oqimi bilan  nurlantirilgandan keyin.  

2. FE toki, kuchlanishi va quvvati 1MeV energiyali elektronlar oqimi bilan  nurlantirilgandan keyin.  

3.  FEning  element  tashqi  tarafini  himoya  qoplamasi  bilan  qoplash    koeffitsienti.  Bu  koeffitsient 

element SiOx bilan qoplanganda birdan kichkina,  Ta2O5 bilan qoplanganda birdan katta bo’ladi. 

4. FElarni ketma-ket ulagandagi umumiy qarshiligi.  

FElarning ish sharoitlari quyidagilarni o’z ichiga oladi:  

1. FEning yoritilish darajasi;  

2. FEning radiatsion nurlanish darajasi;  

3. FEning ish temperaturasi;  

4.  FEning  temperaturaning  tsiklik  o’zgarishi  natijasida  paydo  bo’luvchi    mexanik  kuchlanishlar 

darajasi.Bundan  tashqari,  FElar  yig’  ilayotgan  va  montaj  qilinayotgan  paytda  FEning    chiqish 

xarakteristikalarini buzuvchi konstruktiv va degradatsion omillar ham  hisobga olinishi kerak.  

Fotoelektrik o’zgartgichlarda energiyaning tiklanmaydigan sarflari quyidagilardir:  

- element sirtidan quyosh nurining qaytishi;  

- quyosh nuri bir qismining FEdan yutilmasdan o’tib ketishi;  

- fotonlar energiyasining kristall panjarasiga issiqlik shaklida o’tib ketishi;  

- o’zgartgich ichki qarshiligi hisobiga yo’qotishlar.  

Bu sarflarni kamaytirish uchun quyidagi choralar amalga oshiriladi:  

- quyosh nuriga optimal bo’lgan ta‘qiq zonali YaO’ishlatish;  

- YaO’strukturasini yo’nalirilgan optimal legirlashtirish bilan yaxshilash; - gomogen strukturalardan 

geterogen va varizon strukturalarga o’tish; 

 - FE konstruktiv parametrlarini optimallashtirish ( p-n o‗tish chuqurligi, baza  vatlamining qalinligi, 

kontakt to’rlarining chastotasi va h.k.);  

- yoritishni yaxshilovchi, termoregulirovka qiluvchi va kosmik radiatsiyadan  himoya qiluvchi optik 

qoplamalar ishlatish; 

-FElar ishlab chiqarish yuksak unumdorligini to’liq avtomatlashtirilgan lenta  texnologiyalari asosida 

amalga  oshirish  mumkin.  Faqat  shu  asnoda  FElar  tannarxini  2-2,5  marta  tushirish  mumkin.  FE  ishlab 

chiqarishida  kremniy  va  galliy    arsenidi  (GaAs  )  ishlatilishi  ko’zda  tutilmoqda,  GaAs  birikmasi  geterofoto  

o’zgartgichlarda  AlGaAs-GaAs  birikmasi  shaklida  qo’llaniladi.  FElarda  GaAs    ning  ishlatilishi  sababi  uning 

nazariy FIKi kremniynikidan kattaligi va quyosh  nurini yutilishining kattaligidir. Bu esa o’z navbatida FElar 

FIKning  katta    qiymatlarini  kremniynikiga  qaraganda  ancha  yupqa  qatlamlarda  olish  imkonini  yaratadi. 

Masalan,  20%  FIKni  olish  uchun  geterofoto  o’zgartgichlarda  5-6  mkm    qalinlik  kifoya  qilsa,  kremniyli 

---