I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

 
3.8-§. Birdan ko’b energetik sath hosil qiluvchi kirishma atomlari mavjud 
bo’lgan yarim o’tkazgichlar 
 
Ba‘zi kirishma atomlari yarim o‘tkazgichning taqiqlangan sohasida birdan ortiq 
energetik sathlar hosil qilishi mumkin. Masalan, Zn,Cd atomlari Si da ikkita akseptor 
energetik  sath,  Se,S,Te  lar  esa  2  ta  donor  energetik  sathlari  Cu  Ge  kristallida  hatto 
uchtadan energetik sathlarni hosil qiladi. Ikkita akseptor yoki donor energetik sathga 
ega yarim o‘tkazgichlar uchun neytrallik tenglamasi quyidagicha yoziladi: 
 
     
 
 
   
 
  
                    
 
 
   
 
  
         
 
 
 
 
 
 
 
            (
 
  
   
   )
         
 
  
 
 
 
            ( 
 
  
   
   )
       
 
 
 
 
 
 
 
             
     
  
    
            
 
  
 
 
 
             
     
  
    
      
 
Bunda  N
a
,  N
d
  –  kiritilgan  kirishma  atomlari  konsentratsiyasi,  E
a1
  ,  E
a2
  ,  E
d1
  ,  E
d2 
- 
kirishma atomlar hosil qilgan birinchi va ikkinchi energetik sathlar energiyasi.  
Bunday  hollarda  neytrallik  tenglamasi  uchinchi  darajali  tenglama  bo‘lib, 
yechimi  ancha  murakkab  bo‘ladi,  bunda  materialdagi  asosiy  tok  tashuvchilar 
konsentratsiyasini  bilgan  holda,  kirishma  atomlarning  energetik  sathlarini  Fermi 
sathiga nisbatan joylashishiga qarab, Fermi-Dirak taqsimotida hosil bo‘lgan sathlarni 
qanchalik  elektronlar  bilan  band  yoki  band  emasligini  topish  va  ularning 
o‘tkazuvchanlikka ta‘sirini aniqlashimiz mumkin bo‘ladi. 
Demak,  Fermi-Dirak  taqsimotini  yarim  o‘tkazgich  materialarda  qo‘llashdan 
maqsad,  tok  tashuvchilar  konsentratsiyasining  yarim  o‘tkazgich  materiallarining 
asosiy fundamental parametrlari bo‘lgan E
g
 , N
c
 , N
v 
hamda kirishma atomlarni asosiy 
parametrlari N
a 
 , N
d
 , E
a
 , E
d
 lar hamda haroratga T bog‘lanish funksiyasini aniqlash 
imkonini  beradi.  Natijada  quydagi  ma‘lumotlarni  olish  mumkin;  1)  xususiy  zaryad 
tashuvchilarning  haroratga  bog‘liqlik  grafigidan  E
g
  ni  aniqlash  va  bu  orqali  bizga 
noma‘lum bo‘lgan yarim o‘tkazgichlarning qanday material ekanligini bilish, 2) n(T) 
yoki  p(T)  grafigida  yarim  o‘tkazgichning  taqiqlangan  sohasida    mavjud  bo‘lgan 

---

 
53 
donor  yoki  akseptor  sathlarining  energetik  holati  bunday  sathlarni  hosil  qilgan 
kirishma atomlarning konsentratsiyasini aniqlash.