I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

 
 
 
 

---

 
30 
2.6-§.    Kirishma atomlar diffuziyasi 
 
 
Diffuziya 
usuli 
bilan 
kirishma 
atomlarni 
kiritish 
hozirgi 
zamon 
mikroelektronikasida  xar  xil  murakkablikdagi  integral  sxemalarni  yaratish 
texnologiyasining  eng  asosiy  etaplaridan  hisoblanadi.  Diffuziya  jarayoni  2  ta  asosiy 
bosqichlaridan: kirishma atomlar eruvchanligi va ularning diffuziya koeffisienti bilan 
aniqlanadi.  Eruvchanlik  berilgan  haroratda    diffuziya  yo‘li  bilan  kristallga  kiritish 
mumkin bo‘lgan atomlar konsentratsiyasidir. Eruvchanlik, kirishma atomlar radiusi, 
massasi  va  ularni  tashqi  elektron  qobig‘idagi  elektronlar  soniga,  asosiy  yarim 
o‘tkazgich  atomlaridan  qanchalik  farq  qilganligiga  bog‘liq.  Bu  farq  qancha  katta 
bo‘lsa,  kirishma  atomlarining  kristall  panjara  tugunlarida  joylashish  ehtimolligi 
shuncha  kam  bo‘lishi  bilan  birga  ularning  eruvchanlik  qiymatlari  ham  kam  bo‘ladi. 
Agar kirishma atomlar bilan yarim o‘tkazgichning asosiy atomlari orasidagi tafovud 
qancha  katta  bo‘lsa,  bunday  holda  kirishma  atomlar  kristall  panjara  oralig‘ida 
joylashish  ehtimolligi  katta  bo‘ladi.  Bunday  kirishma  atomlari  yarim  o‘tkazgich 
materiallarning Krista panjaralarida tugunlar aro joylashgan nuqsonlarni hosil qiladi. 
Bundaylarga: Si ga Zn, Fe, Ni, Co . . .larni misol qilish mumkin. 
 
     a)              
        b)