I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

 
 
2.6 – rasm. Choxlar usuli bilan olingan Si monokristali. 
 
                                          
 
 
Bunda  suyuq  holdagi  eritmaga  bo‘lajak  monokristallning  qanday  fizik 
parametrlariga  ega  bo‘lishini  ta‘minlaydigan  Bor,  Fosfor,  Mishyak  yoki  boshqa 
kirishma atomlarini kerakli miqdorda qo‘shib, ularning butun suyuqlik bo‘yicha tekis 
taqsimoti  ta‘minlanadi.  Kirishma  atomlarining  bunday  usul  bo‘yicha  kiritilishi, 
o‘lchamlari  har  xil  ammo  bir  xil  fizik  parametrlarga  ega  bo‘lgan  monokristallarni 
olish  uchun  ishlatiladi.  Kirishma  atomlarining  yarim  o‘tkazgich  kristallariga 
kiritishning ikkinchi usuli bu diffuziya  usuli yordamida bajariladi. Bu usulda asosan 
kirishma  atomlarini  ma‘lum  bir  yupqa  qatlamlarda  hosil  qilish  uchun  ishlatiladi. 
Bunday  usulda  kiritilayotgan  kirishma  atomlar  konsentratsiyasi,  uning  diffuziya 
qilinayotgan  haroratidagi  eruvchanligi,  qancha  qalinlikka  kirishi  esa  diffuziya 
koefsiyenti bilan chegaralanadi. Diffuziya usuli zamonaviy mikrosxemalar va diskret 
yarim  o‘tkazgichli  asboblarni  yaratish  jarayonida  asosiy  texnologik  jarayon 
hisoblanadi. 
Kirishma atomlar kiritishning uchinchi usuli bu, kirishma atomlarini vakuumda 
maxsus  yo‘llar  bilan  ularning  energiyasini  oshirib,  kristall  yuzani  kirishma  atomlar 
bilan  bombardimon  qilishdir.  Natijada  kirishma  atomlar  ionlar  energiyasiga  mos 
holda yuzadan bir necha 10 A
o
 dan bir necha 100 A
o
 gacha chuqurlikka kiradi, ya‘ni 
yarim  o‘tkazgich  materialining  sirt  yuzasidagi  o‘ta  yupqa  qatlam  kirishma  atomlari 
bilan boyitiladi. Bunday  usulda kiritilgan atomlarni  elektrfaol holiga  keltirish uchun 
kristall  ma‘lum  tempraturaga  qizdiriladi,  bundan  tashqari  kirishma  atomlarning 
ionlari  bilan  bombardimon  qilinganda  kirishma  atomlari  yetib  borgan  joygacha 
radiatsion nuqsonlar hosil bo‘ladi, agar ionlar energiyasi va dozasi yuqori bo‘lsa unda 
kristall  yuzasi  amorf  holga  kelishi  mumkin.  Bu  usuldan  foydalanganda  kristall 
yuzasida xohlagan konsentratsiyadagi kirishma atomlarni paydo qilish mumkin.