I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

Quydagi  rasmlarda  kompazitsion va legirlangan-kompozitsion o‘ta panjaralar 
va ularning  energetik sohalar tuzilishi ko‗rsatiladi:
 
E
c2
 
E
c1
 
E
v1
 
E
v2
 
d 
1 
2 
2 
1 
1 
Elektronlar 
Donorlar 
a 
b 
 
10.11  -  rasm.  Oddiy  kompozitsion  (a)  va  modulyatsiyali  legirlangan  (b)  o‘ta 
panjaralarning energetik diagrammalari: d – o‘ta panjara doimiysi. 
 
n 
n 
p 
p 
E
c
 
E
v
 
  E
g
 
  E
g ef
 
Donorlar 
Akseptorlar 
d 
 

---

 
196 
10.12-rasm.  Legirlangan  o‘tapanjaraning  energetik  diagrammasi: 

E
g ef 
–o‘tapanjara 
taqiqlangan sohasining  effektiv  kengligi;  d – uning  davri. 
 
10.7 § Nanoo‘lchamli strukturalarni hosil qilish usullari 
 
Nanoo‗lchamli  strukturalarni  hosil  qilish  usullari  juda  ko‗p  bo‘lib,  xozirda 
yanada  yangi  usullari  yaratilmoqda.  Bu  paragrfda  asosan  yarimo‗tkazgich 
nanomatriallarni  olishda  eng  ko‗p  ishlatiladigan  usullar  haqida  qisqacha  ma‘lumot 
beriildi. 
1.Molekulyar  –  nurli  epitaksiya  usuli  (MNE).  Bu  usul  o‗z  mohiyati  jihatdan 
moddalarni  termik  bug‗lantirish  usulining  takomillashgan  va  o‗ta  yuqori  vakuumda 
bajariladigan (10
8

Pa=10
10

mm. sim. ust) va bug‗lanishi lozim bo‗lgan moddalarning 
(bug‗lantirish  nuqtalari  bir  nechta  bo‗lishi  mumkun)  oqimini,  tezligini,  tarkibini 
taglikda joylashishlarini koordinatalari va o‗lchamlarini boshqarish imkoniyatiga ega. 
Bu  usul  taglikda  hosil  bo‗layotgan  yupqa  qatlamlarning  qalinligi  (bir  nm  aniqlik 
bilan)  va  tarkibi  tuzilishini  juda  katta  aniqlik  bilan  (massalar  spektirametri,  OJI 
spektrometryiya,  lazer  nurlari,  elektron  mikroskoolar…  )  to‗g‗ridan  –  to‗g‗ri 
kuzatish,  boshqarish  imkonini  beradigan  yuqori  texnologik  tizimlarni  amalga 
oshiradigan zamonaviy murakkab elektron qurulmadir ( 7.1-rasm )  
 
er
e 
 
Ga 
 
As 
 
Mn 
 
Al 
 
Sn 
Monokristal taglik 
            GaAs 
zatvorlar 
zatvorlar 
Legirlanuvchi 
kirishmalar 
Legirlanuvchi 
kirishmalar 
 
10.13-rasm.  Molekulyar-nur  epitaksiya  qurilmasini  tuzishi:  GaAs  tagligiga  Al
x
Ga
1-
x
As qattiq eritma yupqa qatlamini o‗stirish. 
2.  Kvant  ipi  va  kvant  nuqtasini  hosil  qilishning  yana  bir  keng  tarqalgan  usuli  bu