I bob. Ionli implantasiya usuli

1.3.Tajribalar o’tkazish vaqtida amalga oshiriladigan texnologik jarayonlar

Tajribalar jarayonida ionli implantasiya bilan bir qatorda ko’pgina texnologik operasiyalar amalga oshiriladi: namunalarni vakuumda qizdirish, namuna sirtiga begona atomlarni kiritish; ionlar bilan uzoq vaqt “o’qqa tutish”, oksidlanish. Bu operasiyalarni yelektron to’p va analizator yelektrodlari sirtlarining ifloslanishini oldini olish maqsadida qo’shimcha (ishlovberish) kamerasida bajarish maqsadga muvofiq.

1. Namunalarni tozalash 10^-6 Pa dan yuqori bo’lgan vakuumda yuqori temperaturali qizdirish yo’li bilan, zarur bo’lganda yesa ionli ishlov berish va keyingi qizdirish (otjig) yo’li bilan bajarilishi zarur.T1200 K haroratgacha qizdirish isitgichning issiqlik nurlanishi hisobiga, undan yuqori temperaturagacha qizdirish yesa (orqa tomondan) yelektronlar oqimini yo’naltirish bilan amalga oshiriladi.Namunalarni ionlar bilan tozalaganda 8 mkAsm^-2 tok zichligiga yega bo’lgan 0,51,5 keV yenergiyali Ar⁺ionlar dastasidan foydalanish mumkin.

2.Ishqoriy va ishqoriy-yer yelementlarining atomlarini changlantirish tok o’tkazilganda qiziydigan tantaldan (yoki nikeldan) yasalgan qayiqcha (nay) bilan amalga oshiriladi. Tantaldan yasalgan qayiqchaga joylashtirilgan BaTi tabletkasidan (kichkina kulcha shaklidagi bo’lakchasidan) Va atomlari, kapillyar to’ynukli nay ko’rinishidagi standart natriy va seziy manbalaridan Na va Cs atomlari olinadi. Bariy va ishqoriy metallarnin gchanglanish tezligini o’rganilayotgan namunaning sirti aynan shu metallarning atomlari bilan qoplanganida namunaning chiqish ishi minimumiga ko’ra aniqlash mumkin. Shu bilan birga ye(t)=ye_min bo’lganda qalinlik 1 monoqatlam deb qabul qilingan. Bundan tashqari changlanish tezligini kalibrlash (taqqoslash, baholash) taglik modda yelektronlarinin oje-piklariga va changlanish jarayonidagi (sirtdagi) atomlarga ko’ra bajariladi.

3.Sirtga kislorodli ishlov berish asbobda zarur bosim oraliqlaridagi dinamik muvozanat barqarorlashgunicha chiqaruvchi kameraga kislorodni uzluksiz yuborilishi bilan amalga oshiriladi. Kislorod manbai bo’lib qizdiriladigan shisha naychaga joylashtirilgan KMnO₄ kukuni xizmat qiladi. Gazsimon kislorod oqimi suyuq kislorodli qopqon orqali o’tadi. Naychaning isish temperaturasini o’zgartirib, turli bosimdagi kislorodni olish mumkin.4.O’rganilayotgan namunalarning sirtini uzoq yelektron “o’qqa tutish” ko’p yelektrodli yelektron to’pdan foydalanib bajariladi. To’p 10100 mAsm^-2 oraliqdagi yelektron toki zichligini ta’minlaydi. Dastaning nishondagi diametri3 mm.ni tashkil qiladi.