I bob. Ionli implantasiya usuli

Ion-molekular usul.

Bu usulga asosan, yuzaga o’tkazilgan atomlarning ma’lum bir qismi ionlashtiriladi va ularga yenergiya beriladi. Bu tushayotgan ionlar asos va o’tkazilgan atomlarning aralashib ketishini tezlashtiradi va nisbatan kichik temperaturalarda kerakli plyonkalar olishni ta’minlaydi.

Ion implantasiya usuli.

Bu usulda kerakli yelement atomlari to’laligicha ionlarga aylantiriladi va ularga yelektrmaydoni yordamida yenergiya berilib, asosning yuzasiga tushiriladi. Bu yenergiyaning hisobiga ionlar asosning ichiga kirib borib joylashadi. Ko’pincha, jarayonning o’zida kerakli birikmalar hosil bo’ladi. Masalan, Va Si yoki BaSi₂ birikmasini olish uchun kremniyning yuzasiga bariy ionlari bilan uriladi. Bunda bariyning ko’p qismi kremniyning yuza osti qatlamlariga joylashib, kerakli birikmalarni hosil qiladi. Ion implantasiya usulida monokristallarning yuzasi buziladi, ko’p hollarda hosil bo’layotgan plyonka amorf bo’ladi, uni kristall holga aylantirish uchun qizdirish kerak bo’ladi. Ionimplantasiya usulining yeng asosiy afzalligi shundan iboratki, bu usul bilan har qanday materialga turli xil atomlarni kiritishi mumkin.