Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebranishlari qo'llaniladi

Ko‘rib chiqilgan «I-NE» elementlari integral yo‘li bilan ham bajarilishi mumkin.

12.17-rasm. DTM elemantining prinsipial sxemasi

; ; ; .
25-Ma’ruza
Tranzistor-tranzistorli mantiq (TTM)
12.18-rasmda TTL-elementining, bir qator Yarim o‘tkazgichli raqamli qurilmalar uchun integral mitti sxemaning asosi bo‘lishi sxemasi keltirilgan. Ushbu sxemada VT₁ . ko‘p immitirli tranzistor qo‘llanilgan. Agarda xech bo‘lmaganda emitter-baza o‘tishidan birontasi to‘g‘ri ulangan holda bo‘lsa, VT₁ ko‘p emmiterli tranzistorning kollektor o‘tishi teskari yo‘nalishga siljiydi. Kirish o‘tkazuvchanligi bo‘lmaganligida baza-kollektor o‘tkazuvchanligi to‘g‘ri yo‘nalishda ulanadi. 12.18-rasmda vx₁, vx₂ va vx₃ kirishlarda «1» darajali mantiq (3.5 voltga qarshi signali) mavjud deylik.
Ushbu kirish darajasida baza-kollektor o‘tkazuv-chanligi R₁ qarshiliq orqali to‘g‘ri yo‘llangan va VT₁ tranzistorining kollektori o‘tkazuvchanligida tok quyidagi zanjirlar orqali oqadi. Tok manbai +E qarshilik R₁, orqali baza-kollektor o‘tkazuvchanligi tranzistor VT₁, VT2 baza-emitter o‘tkazuvchanligi va VT4 baza-emitter o‘tkazuvchanligi. Ushbu zanjirga tegishli to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan. VT₁ tranzistorning emitter-baza o‘tkazuvchanligi teskari yo‘nalishda siljigan. VT₁ tranzistori rejimi invers rejimida VT₂ va VT₄ to‘yingan rejimda. VT₂ potensiali bo‘lganidan VT₃. yopilishini ta’minlaydi. Demak VT₃ yopiq (qirqish rejimi), VT₄, ochig‘i to‘yigan, demak sxema chiqqshida past potensial ta’minlanadi («0» daraja).


12.18-rasm
Kirish signallarining boshqacha qiymatlarida masalan birontasi past darajali kuchlanish bo‘lsa mantiq «0» daraja (taxminan 0,3 V), bunda emitter-baza o‘tkazuvchanligi kirishiga mos holda to‘g‘ri yo‘nalishda siljiydi ushbu o‘tkazuvchanligidagi tok, tok manbai +E, qarshilik R₁, emitter-baza o‘tkazuvchanligi kirish signali manbai orqali oqadi. O‘tkazuvchanlikda kuchlanish to‘g‘ri yo‘nalishda siljib 0,6 V ga yaqin bo‘ladi. VT₁ tranzistor bazasidagi kuchlanish korpusga nisbatan 0,9 V ( ).
Ko‘p emmiterli tranzistorning kollektoridagi kuchlanish dan kichik ya’ni kollektor o‘tkazuvchanligi , kuchlanishi taxminan 0,4 V ga va u 0,5 V bo‘ladi. Ushbu qirqish kuchlanishi va kuchlanishlar summasidan kichik. O‘chirilgan VT₂, tranzistorning kirish qarshiligi VT1, ko‘p emmiterli tranzistorning kollektor yuklamasi juda katta. VT₂ yopiq tranzistorning kirik toki . kichik tok bo‘ladi. Ushbu tok VT₁. tranzistorning kollektor toki bo‘ladi. Demak VT₁ tranzistori sezilarli baza tokiga ega bo‘lib baza-emitter ochiq o‘tkazuvchanlikdan oqib, . Kichik kollektor toki baza va kollektor toklari bunday VT₁ tranzistorlar tokida to‘yingan bo‘ladi. Uning kollektor o‘tishi teskari yo‘nalishga siljigan. Ochiq kirish o‘tishidan oqayotgan emitter-bazali tok baza toki va kollektor . Toklaridan tashkil topadi. Emitter tok qiymati kirish qismida mantiqiy «0» kuchlanish darajasi bo‘lganiga mos keladi VT₁ tranzistorining qolgan emitterlari invers rejimida ishlaydi va toki kichik bo‘ladi.
SHunday qilib mantiqi «0» darajali kuchlanishga mos keladigan xech bo‘lmaganda VT₂ kirish qismi yopiq. VT₂ kollektor potensiali +E, ga yaqin bo‘lib VT₃. ni ochadi va to‘yintiradi. Bunda VT₄ yopiq, chunki baza potensiali nolga yaqin. Sxema chiqish kuchlanishidagi kuchlanish 3,5V atrofida (mantiqiy «1» daraja), chunki +E VT₃ to‘yingan tranzistor orqali va VD₁ diodi to‘g‘ri ulangan. Diodlar VD₂-VD₄ mikrosxemada balki kirish impulslardan himoyalash funksiyasini bajaradi. Signalni o‘zgartirish «I-NE», mantiqiy operatsiyaga mos kelib VT₁ ko‘p emitterli tranzistor kaskadida bajarilgan «I» operatsiya esa invertor bo‘lib, VT₂, VT₃ va VT₄ («NE» operatsiyasi) tranzistorlarda yig‘ilgan.

«I-NE» sxemalar parametrlari K155 seriya uchun: ;

; ; ; ; .