Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebranishlari qo'llaniladi

12.14-rasm. ME larning xalaqitga qarshiligi

Xalaqitga qarshilik zaxirasini oshirish uchun tranzistorning parametri oshiriladi tranzistorning ( ) parametri katta bo‘lgani sari uning tasnifi tikligi ortadi. D – chaproqqa, S – o‘nroqqa joylashadi. Bundan esa xalaqitga qarshi zaxirasi «0», uzatilishda va shuningdek «1» uzatilishda ortadi.

ME lar tezkorligi IS TTL seriyalarida asosan bipolyar tranzistorning hususiyati va yuklamasiga bog‘liq bo‘ladi. YUklama parametriga bog‘liq bo‘lgan tezkorligi ME ning konkret sxemasiga va konstruktiv tuzilishiga ham bog‘liqdir. ME ning chastota xususiyatiga bog‘liq bo‘lgan tezkorligi elementning ish rejimini va sxema texnikasini o‘zgartirib amalga oshirishi mumkin. Tranzistorli kalitlarning tezkorligi bipolyar tranzistorli, kollektor sig‘imi va vaqt surilishi qayta zaryadlanishdandir.
Ushbu parametrlari tranzistorning tayyorlanish texnologiyalari va uning kalit rejimida ishlashga bog‘liq Hususan ulab uzishni vaqtini qisqartish uchun kollektordagi yuklamani kamaytirish hisobiga erishish mumkin.
PME larda XDM larda ishlab chiqarilganlardan qo‘llaniladiganlari
K155, K154 – bazali element sifatida;
K156 – maydon tranzistorlari;
Misol uchun: K155LB1
K155 – ME seriyasi;
M – mantiqiy element turlari;
B – ushbu xili guruh xarakteri;
I – moslashish sxema seriyasi («I»);
N – inkor elementi;
S – &; 1, sxema seriyasi («I»);
R – &; &-ne, yo‘q sxema seriyasi «I», I-NE;
P – boshqa elementlar;
1 – ushbu sinf ishlab chiqarilgan nomeri.
Mantiqiy elementlar uch turga bo‘linadi:

1. 
   potensial (galvanik) aloqali elementlarda sig‘imsiz;
   
2. 
   impulsli aloqali kondensator S yoki impulsli transformatorli;
   
3. 
   potensial-impulsli birinchi va ikkinchi turdagi aloqa bo‘lishi mumkin.
   

23-Ma’ruza
Diodli mantiq. Mantiq «I»
12.15-rasmda oddiy «I» mantiqiy elementning prinsipial sxemasi va xaqiqilik jadvali tasvirlangan agarda aqalli kirish qismida musbat past darajali kuchlanish bo‘lsa shartli nol deb olingan bunda diod katodi ushbu kirish bilan bog‘liq darajaning anonidagi kuchlanish ochiq. Natijada qurilmaning chiqish qismida nol. Agarda sxemaning hamma kirishida Yuqori darajali (birlik) kuchlanish bo‘lsa, bunda chiqish signali birga teng.

12.1 - jadval

kir1	kir2	chiq
1	1	1
1	0	0
0	1	0
0	0	0

12.15-rasm. Oddiy «I» mantiqiy elementning prinsipial sxemasi