Химическая и электрохимическая обработка поверхности полупроводников

Kt
E
N
А
V
V
S
ТР
ТР
E
exp
(2)
А
ТР
-константа скорости поверхностной реакции 
N
S 
–концентрация молекул травителя вблизи поверхности 
∆Е –энергетический барьер реакции. 
Так как 
 
E
f
V
ТР


, то V
тр
должна быть различной для плоскостей кристалла с 
разной для плоскостей кристалла с разной плотностью упаковки атомов и травления 
является анизотропным. 
(Для алмазоподобных п/п-ков с решеткой типа сфалерита? В осноном 
наблюдается следующее соотношение скоростей травления: V
[100]
>V
[110]
>V
[111]
) для 
щелочных травителей и V
[110]
>V
[100]
> V
[111] 
для кислотных травителей. 
Если на поверхности пластины имеются дефекты, например выхода 
дислокации, то в этих местах за счет повешения энергии решетки барьер реакции 
снижен по сравнению с ненарушенной поверхностью и происходит локальное 
увеличение скорости травлена Дефектное место растравливаются с образованном 
фигуры (ямки) травления, форма который определяется кристаллографической 
ориентации поверхности пластины. В этом случае гладкую поверхность получить не 
удастся.
Травители с кинетическими контролем называются - дифференциальными а 
процесс травления - селективным. 
Как следует из (2), характер селективного травления определяется в 
значительной степени темп-рой. 
С ростом Т селективность травителя менее выражается. По этому для 
выявления картины дефектов поверхности желательно работать в холодных 
травителях.
Лучшими полирующими свойствами обладают травители с большим 
содержанием азотной кислотой.
Для уменьшения скорости травления к основную кислотам добавляют уксусную 
кислоту СH3COOH, которая замедляет окисление кремния и растворения анода и 
облегчает управления процессом травления.