Harbiy-texnik instituti sh. X. Kamilov raqamli qurilmalar: kombinatsion, ketma-ketli

 
 
 
3.2. I
2
M-mikrosxemalari 
Bitta integral sxemada jamlanishi mumkin bo‘lgan ventillarning miqdori – 
raqamli qurilmalarni kichiklashtirishda ahamiyatli omillardan biridir. Ventillar 
zichligi etarli darajada yuqori bo‘lishi kerak. Bipolyar oiladagi ventillarning biri 
integral injeksion mantiq (I
2
M) nomi bilan ma’lum, oddiy tuzilishga ega 
bo‘lganligi uchun mantiqiy elementlarning zichligini oshirish imkoni mavjud.
Invertor sifatida ishlaydigan I
2
M-ventillari 3.3. rasmda ko‘rsatilgan ikki tranzistorli 
sxema asosida tuziladi. Bu erda p-n-p VT
1
rezistor R bilan n- p-n n tranzistor VT
2
bazasiga tok manbasi sifatida ta’sir qiladi. 
VT
1
tranzistor bazasi “er”ga ulangan, va uni baza-emmiter o‘tishi to‘g‘ri 
yo‘nalishda siljigan. Shuning uchun VT
1
ning emmiter potensiali nisbatan 

---

42 
o‘zgarmas qiymatga ega bo‘lib taxminan 0,7 V teng. Natijada rezistor R da 
kuchlanish tushishi doimiy va taxminan (U
n
- 0,7 V) teng. SHunday qilib,
VT
1
ning emmiter tokiga teng bo‘lgan rezistordan o‘tayotgan tok (U
n
- 0,7 V) / R 
teng qiymatga ega bo‘ladi. Bu tok VT
1
ning kollektor tokiga teng, chunki ularning 
ayirmasi odatda kuchsiz baza tokini tashkil etadi.
Keyin VT
1
ning kollektor toki agar kirish zanjiri tok iste’mol qilmasa (kirish 
uzilgan) VT
2
ning bazasiga o‘tadi. Bu tok VT
2
ning bazasiga “injeksiyalanadi” 
shundan mantiqiy qurilmaning nomi kelib chiqadi. Bu rejimda VT
2
ning baza-
emmiter o‘tishi uni ochiq xolda bo‘lishini ta’minlaydigan darajada to‘g‘ri 
yo‘nalishda siljigan. Boshqa tarafdan agar kirish erga ulangan bo‘lsa VT
1
dan 
o‘tayotgan tok kirish zanjiriga o‘tadi, natijada VT
2
yopiladi. Shunday qilib, ventil 
kirishi “uzilgan” bo‘lganida uning chiqishi “er”ga ulanadi, agar kirish “er”ga 
ulangan bo‘lsa unda chiqish “uzilgan” bo‘ladi. “Uzilgan” va “er”ga ulangan 
xolatlarni ikkita mantiqiy qiymatlari sifatida qarab, 3.3. rasmda ko‘rsatilgan ventil 
invertor sifatida harakatlanayotgani ko‘rinadi.
3.3. rasm. 
I
2
M-invertor sxemasiga ko‘ra amaliy tayyorlanishi bo‘ycha yanada sodda. 
Chunki VT
1
ning kollektori VT
2
ning bazasi bilan ulangan va p-turidagi 
yarimo‘tkazgichdan tashkil topib kristalldabitta soha ko‘rinishida amalga 
oshiriladi. Xuddi shunday birlashtirish VT
1
ning bazasi va VT
2
ning emmiteri 
xosil qiladi. Shu sababdan I
2
M moslashtirilgan tranzistorldi mantiq (MTM) deb 

---

43 
nomlanadi. Bir nechta kirishli ventillar montajli mantiq metodlari bilan bazaviy 
invertor asosida tuzilishi mumkin. Masalan, ikki kirishli ventil 3.4. rasmda 
ko‘rsatilganidek chiqishlari ulangan ikkita invertorlardan olinadi. Agar kirishlardan 
biri uzilgan bo‘lsa, mos ravishdagi chiqish n-p-n tranzistori ochiq bo‘ladi, shu 
bilan birga ventilning umumiy chiqishi “er”ga ulanib qoladi.
3.4. rasm 
Uzilgan xolatni mantiqiy “1” ga, “er”ga ulangan xolatni – mantiqiy “0” ga 
tengalshtirib, ventil “YOKI-EMAS” mantiqiy operatsiyani bajarilayotgani 
ko‘rinadi. 
I
2
M-ventillarning tranzistorlari o‘tkazish xolatida to‘ynishga erishadi. Bu esa 
barcha boshqa bipolyar mantiqiy oilalarda kabi tezkorlikni cheklaydi.. Tezkorlikni 
oshirish uchun bipolyar tranzistorlarni chuqur to‘yinishiga to‘siqlik qiluvchi 
Shottki diodlarini qo‘llab sxemalar ishlab chiqilgan, natijada I
2
M-Shottki ventillari 
odatiy injeksion sxemalarga nisbatan ikki marotaba yuqori tezkorlikka egadir.