Harbiy-texnik instituti sh. X. Kamilov raqamli qurilmalar: kombinatsion, ketma-ketli

 
Nazorat savollari: 
1.
Mantiqiy algebra teoremalari yordamida mantiqiy funksiyalarni qanday 
miniumga keltiriladi? 
2.
Karno kartalari yordamida mantiqiy funksiyalarni qanday miniumga 
keltiriladi? 
3.
Mantiqiy bazis va kombinatsion mantiqiy sxema deganda nima tushiniladi? 
4.
VA-EMAS bazisda mantiqiy funksiyalar qanday amalga oshiriladi? 
5.
YOKI-EMAS bazisda mantiqiy funksiyalar qanday amalga oshiriladi? 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
III BOB. RAQAMLI QURILMLARNING ELEMENTLAR BAZASI
 

---

37 
 
3.1. TTM- Mikrosxemalari 
Tranzistor-tranzistor mantiq (TTM) - mantiqiy elementlar oilasining 
ahamiyatlilaridan biri. Bu oiladagi ME bipolyar tarnzistorlar asosida yaratilgan. 
Mumkin bo‘lgan TTM-ventil sxemalardan (mantiqiy element) biri 3.1. rasmda 
keltirilgan. Mantiqiy 0 va 1 qiymatlari mos ravishda kuchlanish darajasining 
nominal qiymatlariga ≤0,4 V va ≥+2,4 V to‘g‘ri keladi 3.1. rasmda 
ko‘rsatilganidek, sxemani uchta qismga bo‘lish mumkin: kombinator, tiklagich va 
bufer. 
chiqish
A kirish 
B kirish 
 
 
Kombinator tiklagich bufer 
3.1. rasm. 
Ventilning kombinator qismi ko‘p emmiterli tranzistordan (VT1) tashkil 
topgan. Rasmdagi sxemada ikkita emmiter ko‘rsatilgan lekin TTM-mikro 
sxemalardagi mantiqiy elementlarda ularning soni ko‘p bo‘lishi mumkin. Masalan, 
K155LA2 
seriyadagi 
mkirosxemaning 
korpusida 
8VA-EMAS 
mantiqiy 
elementlardan tashkil topib, sakkizta emmiterli tranzistor qo‘llaniladi.
Har bir kirish signali o‘zining emmiteriga uzatiladi, u esa o‘z navbatida ko‘p 
emmiterli tranzistor (KET) bazasi bilan (p-n) o‘tish xosil qiladi. Bunda baza 
emmiter o‘tishlaridan xech bo‘lmasa bittasi to‘g‘ri siljishga ega bo‘lgani tasavvur 
qilinsa unda tranzistor ochiq xolda bo‘lib kollektor chiqishdan tok o‘tishi mumkin.
Bazaga R
1
rezistor orqali musbat potensial berilgani uchun har doim tegishli 
emmiter potensiali “nolga” yaqin bo‘lsa baza-emmiter o‘tishi to‘g‘ri siljib qoladi. 

---

38 
SHunday qilib, KET ochiq xolda bo‘ladi, agar xech bo‘lmasa emmiterlardan bittasi 
kichik potensialga ≤0,4 V (mantiqiy 0) ega bo‘lsa. Bu xolda kichik potensialli 
emmiter orqali asosan baza toki bilan ifodalangan sezilarli tok oqib o‘tadi. Agar 
barcha emmiterlarga yuqori ≥+2,4 V potensial (mantiqiy 1) berilsa tranzistor yopiq 
va barcha emmiterlarda tok kichik bo‘ladi.
Ventilning tiklagich qismi VT
2 
tranzistor va ikkita R
2
va R
3
rezistorlardan 
tashkil topgan. VT
2 
tranzistorning bazasi VT
1 
tranzistorning kollektoriga ulangan, 
shuning uchun VT1 kollektor toki VT
2 
ning baza toki bo‘ladi. VT1 tranzistor 
ochiq bo‘lganida tok uning kollektoridan past potensialga ega bo‘lgan emmiteriga 
yoki emmiterlarga oqadi. Tokning yo‘nalishi VT
2 
tranzistor bazasi (baza-emmiter 
o‘tishi to‘g‘ri siljishga) ega bo‘lishi kerak bo‘lgan tok yo‘nalishiga teskari. Bu esa 
har doim VT
1 
tranzistor ochiq bo‘lganida VT
2 
tranzistor yopiq (kesilish rejimi) 
bo‘ladi.
Haqiqatdan ham VT
2 
tranzistor bazasidan VT
1
kollektoriga sezilarli tok VT
2 
tranzistor to‘yinish xolatidan yopiqqa o‘tishga talab etilgan qisqa davrlarida o‘tadi. 
Bu tok VT
2 
tranzistor to‘yinish xolatida VT
2 
tranzistor bazasida yig‘ilgan 
zaryadlarni oqib o‘tishi bilan saqlanadi. VT
2 
tranzistor yopilgandan keyin uning 
bazasidan kuchsiz tok o‘tadi. 
Boshqa tarafdan, agar VT
1
tranzistor yopiq bo‘lsa, uning baza-kollektor 
o‘tishi baza rezistoriga +5 V potensial berilgani uchun to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan. 
SHuning uchun VT
1 
baza-kollektor o‘tishi to‘g‘ri siljishga ega bo‘lgan har qanday 
yarim o‘tkazgichli diod o‘tkazish xolatida bo‘ladi.
VT
2 
tranzistorning ikkita qarama-qarshi (to‘yinish, kesilish) bo‘lgan har bir 
xolati kirishda butun shartlar diapazoni uchun kuzatiladi. Bu ma’noda VT
2 
tranzistor zanjiri haqiqatdan ham tiglagich vazifasini bajaradi. 
Ventilning bufer qismi VT
3 
tranzistori va R rezistordan tashkil topgan. Agar 
VT
2 
tranzistori ochiq xolda bo‘lsa uning emmiter potensiali 0 va +5 V orasidagi 
musbat qiymatlariga ega bo‘ladi; aniq qiymati tiklagich zanjiridagi ikkita 
rezistorlarning parametralariga bog‘liq bo‘ladi. Bu esa o‘z navbatida bufer 
qismidagi VT
3 
tranzistordagi baza-emmiter o‘tishi to‘g‘ri siljishga ega bo‘ladi, 

---

39 
buni natijasida VT
3 
tranzistor ochiq bo‘ladi. Bunday xolatda ventilning chiqishida 
“er” potensialiga teng potensial kuzatiladi. 
Boshqa tarafdan, tiklanish zanjirida VT
2 
tranzistor tok o‘tkazmasa unda 
uningemmiteridagi potensial “nollik” bo‘lib qoladi. SHu sabadan bufer VT
3 
tranzistordagi baza-emmiter o‘tishi to‘g‘ri siljishga ega bo‘lmaydi va natijada VT
3 
tranzistori yopiq bo‘ladi. Bu xolatda buferning kollektor zanjiridagi rezistor 
hisobiga ventilning chiqishida manba potensiali +5 V teng bo‘lgan potensial 
o‘rnatiladi. Chiqishdagi haqiqiy potensial qiymati esa R rezistordagi potensial 
tushishiga bog‘liq. TTM mikrosxemalariga qo‘yilgan talablarga ko‘ra chiqishdagi 
yuqori potensial qiymati 2,4 V kam bo‘lishi mumkin emas. Ko‘rib chiqilgan 
ventilning xolatlari 3.1. jadvalda keltirilgan. 
Jadval 3.1.