Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
61 
причин потерь тока в планарной конструкции является затенение 
светоприемной поверхности, достигающее 20% [2] и величина 
поcледовательного сопротивления. Анализ зависимостей U
хх
от 
температуры показал, что на восходящем участке зависимости U
хх 
от К
с 
исследуемые 
ВФП 
несколько 
отличаются 
от 
обычных 
фотопреобразователей с омическими контактами на поверхности. Данное 
явление, видимо, связано со следующими. Из уравнения ВАХ U
хх
определяется 
(2) 
где k - постоянная Больцмана, I
Ф, 
I
S
– фототок и ток насыщения р-n 
перехода МФП. Для каждого МФП выражение можно представить [3] 
(3) 
S
1
– cветоприемная и S
2
– суммарная (с учетом затенения омическим 
контактом) поверхность р-n перехода. Следовательно, начальное значение 
U
хх 
на одном МФП отличается от обычного фотопреобразователя на 
величину 
(4) 
т.е. в данном интервале освещенности ощущается влияние параметра S
1/
S
2, 
где U
хх
уменьшается с ростом S
2
и до 20 % отличается от обычных ВФП 
на основе GaAs. На основе зависимости U
хх 
от степени концентрации 
излучения К
с
, где происходит рост U
хх 
при прочих равных условиях 
характеризуются более высоким значением U
хх, 
причем, его относительное 
изменение определяется выражением (3). 
В рабочем режиме максимальная рабочая температура ВФП 
определяется величиной рассеиваемой мощности и полным тепловым 
сопротивлением активного элемента и теплоотвода. Так как, 
концентраторные ВФП, как правило, монтируются на радиаторы с высокой 
теплопроводностью, то тепловое сопротивление исследуемого ВФП, в 
основном определяется параметрами слоев между р-n переходом и 
теплоoтводом. Рассеиваемая р-n переходом ВФП электрическая мощность 
определяется поглощенной частью солнечной энергии и имеет оптическую 
(образуется за счет нефотоактивного поглощения квантов) и 
электрическую 
(преобразованную) 
составляющие. 
Применение 
широкозонного GaP (E
g
=2,25эВ) с малой толщиной сильно поглощающего 
слоя GaAs с двусторонним АlGaAs способствует уменьшению 
интегрального коэффициента поглощения фотонов (в основном за счет 
ослабления поглощения нефотоактивной части солнечного спектра). 
Преимущество применения монокристаллического GaP в качестве 
оптического окна для ВФП прямого и концентрированного излучения 
заключается еще в том, что данный полупроводник обладает низким 

---