Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

1.E+16
1.E+17
1.E+18
1.E+19
1.E+20
1.E+21
0
2
4
6
8
10
12
14
16
N
,sm
-3
x ,mkm
кривая 1
кривая 2
Рис.2. Концентрационное распределение атомов фосфора и галлия в кремния. 
Кривая 1- распределение фосфора при Т=1250С, t=2 часа.
Кривая 2-распределение галлия при Т=1250С, t=2 часа. 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
216 
На рис.2 представлено концентрационное распределение атомов 
фосфора в кремний после диффузии Т=1250 С, t=2 часа. Также представлено 
концентрационное распределение галлия после диффузии Т=1250 С, t=2 час.
Таким образом был разработан диффузионный способ формирования
элементарных ячеек типа 
Si
2
Ga
-
P
+
, что дает начало созданию нового класса 
полупроводниковых материалов с уникальными физическими свойствами и 
функциональными возможностями.
Список литературы: 
1.
М.К.Бахадирханов, С.Б.Исамов. Физические основы формирования 
гетероваризонной структуры на основе кремния. Журнал технической 
физики, 2021, том 91, вып. 11, стр. 1678-1684. 
2.
Н.Ф.Зикриллаев, Х.С.Турекеев, Б.Исаков, Г.А.Кушиев, Ж.Болиқулов. 
Диффузионная технология формирования бинарных элементарных ячеек 
Si
2
GaP в рещетке кремния. Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в 
полупроводниковых 
микро-и 
нанострутурах. 
Международная 
конференция. Фергана.13-14 ноября 2020 года. 
3.
С.Б.Исамов, Х.С.Турекеев, Н.Т.Мовлонов. Кремнийга фосфор ва 
галлийнинг 
кетма-кет 
диффузияси 
натижасида 
галлий 
концентрациясининг 
ошиши. 
Тенденции 
развития 
физики 
конденсированных сред. Международная научная конференции. Фергана. 
25-май. 2021.