Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 
№IAP 05674.
 
Способ парогазового выращивания пленок ITO / 
Атабаев И.Г. Хажиев М.У., Пак В.А., Закирова С.Б. /19.09.2018 г. 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
190 
5. I.G. Atabaev, M.U. Khajiev, V.A. Pak. Growth of ITO Films by Modified 
Chemical Vapor Deposition Method. International Journal of Thin Films 
Science and Technology Int. J. Thin. Fil. Sci. Tec.5, №.1, 13-16 (2016) 
http://dx.doi.org/10.18576/ijtfst/050102 
6. Марадудин А. Дефекты и колебательные спектры кристаллов- Мир, 
Москва, 1968, с.210 
7. И.Г.Атабаев, Хажиев М.У., С.Б. Закирова, З.Шерматов Взаимосвязь 
структуры, удельного сопротивления и оптических свойств ITO пленок 
выращенных методом CVD. Applied Solar Energy (Geliotekhnika),(2017), 
№2 ст.33-37 
8. Я.Е.Гегузин. Поверхностная диффузия и растекание, Наука, 1969 
9. G. Frank, E. Kauer, H. Kostlin, Thin Solid Films 77, 107 (1981)

 
 
ОСОБЕННОСТИ ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПО ГЛУБИНЕ 
ИОНОВ ЩЕЛОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ИМПЛАНТИРОВАННЫХ В 
МОНОКРИСТАЛЛЫ CdTe 
 
А.А.Абдувайитов, Х.Х.Болтаев, Г.А.Розиков 
Ташкентский государственный технический университет 
[e-mail] 
 
В настоящее время многослойные и тонкоплёночные структуры на 
основе полупроводниковых соединений А
2
В
6
широко используются в 
создании различных оптоэлектронных устройств, в том числе приборов 
солнечной энергетики. Поэтому в настоящее время хорошо изучены состав, 
кристаллическая структура и электронные свойства пленок CdTe, Cd
1-х
Me
х
Te 
и изменения этих свойств при различных воздействиях [1-2].
CdTe, как материал, обладающий оптимальной шириной запрещенной 
зоны, получил широкое применение во многих областях электронной 
техники и солнечной энергетики. Ширина его запрещенной зоны лежит в 
оптическом диапазоне, поэтому происходит сильное поглощение солнечной 
энергии в видимой области спектра. Легирование тонких пленок CdTe 
ионами активных металлов, может существенно повлиять на свойства этих 
пленок. В качестве объектов исследования использованы хорошо 
полированные и обработанные в травителе монокристаллы CdTe(111) n-типа 
толщиной 1 мм. Основные исследования проводили при вакууме 10
-7 
Па с 
использованием методов Оже-электронной спектроскопии (ЭОС), вторично 
ионной масс-спектроскопия (ВИМС), характеристических потерь энергии 
электронов (ХПЭЭ) и интенсивности проходящего через образец света. 
Профили распределения атомов по глубине определяли методом ЭОС в 

---