Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
185 
расход реактантов, а с другой стороны, увеличить скорость роста в 5

10 раз 
[3,4]. 
Зеркала с лицевым отражающим слоем из ITO могут иметь 
интегральный коэффициент отражения 85÷90%. Однако, срок службы таких 
зеркал в открытых атмосферных условиях небольшой. Практически, в 
течение 2 месяцев, суммарный коэффициент отражения падает до 50÷60%. 
Для предотвращения процесса деградации разработан новый способ 
выращивания тонких пленок ITO в квазизамкнутом объеме. Толщина пленок 
от 1 мкм до 3 мкм, скорость роста 1 мкм/час, что как указывалось ранее в 10 
раз выше, чем при выращивании применением обычной технологии [1,2]. 
Температура роста пленок 170÷350 
0
С [5].
При синтезе высококачественных слоев ITO необходимо, с одной 
стороны, обеспечить структурное совершенство и высокую прозрачность 
материала, а с другой обеспечить высокую проводимость (~10
-3
Ом·см). Это 
противоречивое требование, так как, в пленках ITO проводимость 
обеспечивается структурными дефектами, типа вакансия кислорода или 
другими дефектами кристаллической решетки, которые, в свою очередь, 
уменьшают прозрачность и нарушают кристаллическое совершенство 
пленок. Поскольку процесс выращивания ITO происходит при температурах 
значительно ниже температуры плавления, в процессе роста пленок 
образуются различные дефекты структуры.
Важным преимуществом метода является возможность управления 
температурой подложки (Т
пл
), сохраняя неизменными остальные параметры 
технологического процесса (температура испарителя, поток раствора с 
реактантами и др.). Поэтому, наряду с применением специальных 
химических добавок, меняя Т
пл
можно управлять формированием 
электрически активных дефектов. В процессе роста ITO слоев Т
пл
изменялось 
от 170 до 350 
о
С. При Т
пл
свыше 300 
о
С пленки росли островками, а при 
температурах ниже 300
о
С получались однородные пленки п-типа (по данным 
измерений термо э.д.с.). В [6,7] показано, что при высоких Т
пл
рост 
островков определяется диффузионной коалесценцией адсорбированных 
молекул. 
В выращенных островковых пленках измерение удельной проводимости 
не проводилось. Исследование образцов с однородными пленками показали, 
что пленки имеют п-тип проводимости и удельное сопротивление порядка от 
10
-4
Ом·см до 10
-3
Ом·см, при Т
пл
=240

260 
0
С. С уменьшением Т
пл
, в 
исследованном диапазоне, удельное сопротивление пленок ITO растет: 2,04 
Ом·см для Т
пл
= 200 
0
С, а при температуре подложки 170
0
С удельное 
сопротивление возрастало до 20 Ом·см. 

---