Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
192 
Рис.1. Энергетическая зависимость 
интенсивности проходящего через
CdTe света I. 
Рис.2. Зависимость максимальной 
глубины проникновения ионов активных 
металлов в кристаллов CdTe от их 
начальной энергии. D=10
15
ион/см
2
Профиль распределения ионов Ba с энергиями 10-30 кэВ в CdTe 
определен по формуле 
(3) 
здесь – интегральная доза имплантированных ионов (10
15
ион/см
2
), 
– проекция глубины проникновения на ось (расстояние от поверхности 
кристалла).
Список литературы 
1.
C.H.Lee, S.W.Park, Jaesun Lee, Y.M.Moon. et.al., J.Electron. Mater. 27. №6. 
668. (1998) 
2.
А.В.Бродовой, С.Г.Бунчук, З.Ф.Цибрий. ФТТ. 53 №3., 524-526 (2011) 
3.
D.M.Muradkabilov, D.A.Tashmukhamedova, B.E.Umirzakov. Journal of 
Surface Investigation. 7. №5, 967-971 (2013) 
4.
B.E.Umirzakov, 
D.A.Tashmukhamedova, 
Kh.Kh.Kurbanov. 
Surface 
Investigation X-ray. Synchron. And Neutron. Techniques. 5. №4. 693 (2011) 
 
 
GETEROSTRUKTURALAR ASOSIDA YUQORI SAMARADORLIKDAGI 
TEZKOR FOTOQABULGILGICHLAR YARATISHDAGI BA’ZI 
XUSUSIYATLAR 
 
A.A. Po’latov, D.A.Yusupov, J.J. Soyipov, A.Karimov 
Namangan davlat universiteti, Uychi ko’chasi 316-uy, Namangan 160119, 
O’zbekiston 
O’tgan asrning 80-yillarining boshlarida yarimo'tkazgichli elektronikada, 
birinchi navbatda optoelektronikada geterostrukturalarni qo'llash bo'yicha jadal 
ishlar boshlanganligi ma’lum. Bu ishlarning rivojlanishining harakatlantiruvchi 
kuchi, 
p-n
gomoo’tishlariga asoslangan qurilmalarda mavjud bo'lmagan 

---