|
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
172
l
n
E
l
n
l
n
E
l
n
l
n
l
n
E
E
dE
kT
E
T
E
E
dE
kT
E
E
s
,
,
2
,
,
2
,
,
2
cosh
1
2
cosh
(4)
Електронлар энтропиясини аналитик ҳисоблаш учун [3] да консентрация
учун келтирилган тақрибий тенгламалардан фойдаланамиз. Бундан қуйидаги
тенгламалар келиб чиқади.
kT
E
kT
E
E
kT
E
kT
k
kT
E
e
e
e
e
e
T
E
k
e
T
E
k
kT
E
e
e
T
E
k
s
l
n
l
n
l
n
l
n
l
n
l
n
l
n
l
n
kT
E
kT
E
kT
E
l
n
kT
E
kT
E
l
n
kT
E
l
n
l
n
l
n
l
n
kT
E
kT
E
l
n
l
n
l
n
l
n
l
n
l
n
l
n
l
n
l
n
,
,
1
,
2
,
2
2
5
,
2
3
,
2
,
,
3
,
3
,
,
,
,
1
,
,
33
,
1
,
8
3
4
33
,
1
191
,
4
4
4
2
4
2
191
,
2
,
,
,
,
,
,
,
,
(5)
Ихтиёрий бир сатх атрофида битта электрон энтропияси қуйидагига тенг
бўлади.
kT
E
kT
E
kT
E
k
kT
E
e
T
E
k
e
T
E
k
kT
E
T
E
k
s
j
i
l
n
l
n
j
i
kT
E
j
i
kT
E
j
i
j
i
j
i
j
i
j
i
,
1
2
,
2
,
2
,
1
,
,
,
,
33
,
1
,
8
3
4
33
,
1
191
,
4
2
4
2
191
,
2
,
,
(6)
Яримўтказгичли наноипларда битта электрон энтропиясини (4) тенглама
асосида ифодаланади. [3] ишда келтирилган тенгламалардан фойдаланиб (4)
тенгламани
тақрибий
ифодаладик.
(6)
тенглама
яримўтказгичли
наноиплардаги битта электрон энтропиясини тарибий ифодалайди.
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
173
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
-4x10
-5
0
4x10
-5
8x10
-5
1x10
-4
, (eV)
d
/dT, (eV/K
)
50 K
100 K
200 K
300 K
1-расм. Турли ҳароратларда наноипдаги электрон энтропиясини кимёвий
потенсиалга боғлиқлиги.
1-расмларда наноипдаги электрон энтропиясини кимёвий потенсиалга
боғлиқлиги келтрилилган. Графикдан ихтиёрий сатхдаги электрон
энтропияси ҳароратга боғлиқ эмас эканли кўринмоқда.
l
n
E
,
бўлганда битта
электрон энтропияси (6) тенгламадан
6
5
k
s
га тенг бўлар экан. 2-расмда
наноипдаги битта электрон энтропияси, кимёвий потенсиали ва ҳарорат
орасидаги боғланиш келтирилган. Графиклардан кўринадики ҳарорат
ортганда графиклардаги тебранишлар пиклари йўқолиб, силлиқлашиб борар
экан. Бунга сабаб наноипларда ҳарорат юқори бўлганда кимёвий потенсиал
чизиқли ўзгариб боришидир (3-расм).
2-расм. Наноипдаги электрон энтропияси, кимёвий потенсиали ва ҳарорати
орасидаги боғлиқлик
.
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
174
0
1
2
3
4
-0,00004
0,00000
0,00004
0,00008
0,00012
0
1
2
3
4
-0,00004
0,00000
0,00004
0,00008
0,00012
0
1
2
3
4
-0,00004
0,00000
0,00004
0,00008
0,00012
0
1
2
3
4
-0,00004
0,00000
0,00004
0,00008
0,00012
50 K
100 K
n
L
/n
0
, (eV)
1/2
n
L
/n
0
, (eV)
1/2
n
L
/n
0
, (eV)
1/2
n
L
/n
0
, (eV)
1/2
d
/d
T
,
(e
V/K)
d
/d
T
,
(e
V/K)
d
/d
T
,
(e
V/K)
d
/d
T
,
(e
V/K)
200 K
300 K
3-расм. Наноипдаги электрон энтропиясини консентрацияга боғлиқлиги.
Адабиётлар
1.
G. Gulyamov, A. G. Gulyamov, A. B. Davlatov, and Kh. N. Juraev. Energy
Levels in Nanowires and Nanorods with a Finite Potential Well. Hindawi.
Advances in Condensed Matter Physics. Volume 2020, Article ID 4945080, 12
pages. https://doi.org/10.1155/2020/4945080.
2.
G. Gulyamov, A.G. Gulyamov, A.B. Davlatov, B.B. Shahobiddinov.
Electron Energy in Rectangular and Cylindrical Quantum Wires. J. Nano-
Electron.
Phys.
12
No
4,
04023
(2020).
https://doi.org/10.21272/jnep.12(4).04023.
3.
Г. Гулямов, А.Б. Давлатов, Х.Н. Жураев. Статистика электронов в
полупроводниковых нанонитях. Uzbek Journal of Physics. Vol. 22, No. 5, pp.
275-281, 2020.
4.
P.J. Baymatov, A.G. Gulyamov, B.T. Abdulazizov. On the Heat Capacity of
a Quasi-Two-Dimensional Electron Gas. Advances in Condensed Matter
Physics.
Volume
2019,
Article
ID
8317278
(2019).
https://doi.org/10.1155/2019/8317278.
5.
A.A. Varlamov, A.V. Kavokin, Y.M. Galperin. Quantization of entropy in a
quasi-two-dimensional electron gas. Physical Review B, 93(15). (2016),
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.93.155404.
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
175
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА НАНОРАЗМЕРНЫХ
ТРЕХКОМПОНЕНТНЫХ СТРУКТУР GaМеAs
М.Б. Юсупжонова, А.К. Ташатов, У.Х. Курбанова, А.Н. Ураков,
М. Эркабоев, Д.А. Ташмухамедова
Ташкентский Государственный Технический Университет, 100095, ул.
Университетская, 2, Ташкент, Узбекистан
Наноразмерные структуры, полученные на основе полупроводниковых
пленок, имеют перспективы при разработке новых многослойных МДП, ПДП
структур, барьерных слоев, электронно- и магнитозапоминающих устройств
[1–4]. Нами ранее методами ионной имплантации в сочетании с отжигом в
поверхностной области Si и GaAs получены нанокристаллы (НК) и
нанопленки (НП) типа CoSi
2
, BaSi
2
, Ga
0.5
Na
0.5
As, Ga
0.5
Al
0.5
As и изучены их
состав, электронная и кристаллическая структура [5–7]. В частности,
показано, что ширина запрещенной зоны E
g
для нанопленки Ga
0.5
Na
0.5
As
составляет 2.3 eV, а для нанокристалла Ga
0.5
Na
0.5
As – 2.9 eV. Получены и
изучены электронная структура НК и НП CoSi
2
, созданных в
приповерхностной области (на глубине 20–25 nm) Si. Установлено, что,
варьируя энергию ионов E
0
от 1 до 20 keV, можно регулировать глубину
образования наностуктур CoSi
2
в пределах от 1–2 nm (на поверхности) до 15–
20 nm.
На рис. 1 приведена зависимость положения уровня Е
F
от концентрации
атомов Ва
+
для GaAs (р-типа), легированного ионами Ва
+
c Е
0
=0,5 кэВ
разными дозами. Видно, что при имплантации ионов Ва
+
в интервале D =
5
10
14
–5
10
15
см
-2
положение уровня Ферми в запрещенной зоне от
р
-типа
переходит в
n
-тип.
Рис. 1. Влияние концентрации атомов Ba на положение E
F
p-типа GaAs:
1 – до прогрева, 2 – после прогрева при Т = 750 К.
10
15
10
17
10
18
E
g
,э
В
0,5
1,0
1,5
D, см
-
2
2
1
Do'stlaringiz bilan baham: |
