Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

J,mA/sm
2
2
U,mV
1
Рис. 1. Вольт амперная характеристика после диффузии. 1 Si, 2. Si 
В эксперименте использовались 2 группы образцов. I -группа - Si  
-контрольные образцы, легированные фосфором (
Т
=1000 
℃
t=2 часа) 
отожженные при 
T
=1200 
℃
t=4 часа. II-группа-Si - образцы 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
178 
легированные бором при 
T
=1200 
℃
t
=4 часа, которые предварительно были 
легированы фосфором 
T
=1000 
℃
t
=2 часа.
После необходимых механических и химических обработок снимались 
вольт-амперная характеристика (ВАХ) и спектральная зависимость образцов 
с помощью монохроматора прибора ИКС-12.
Из двух ВАХ этих образцов видно, что прямой ток образцов II группы 
уменьшается согласно теории, а обратный ток соответствует идеальному 
относительно контрольного образца I группы. Это не согласуется с теорией 
диффузии, возможно это связано с образованием комплексов бора и фосфора 
BP. Они могут образовываться и в виде молекулярных образований, потому 
что они расположены в узлах кристаллической решетки во время диффузии в 
кремнии. 
0,3
0,6
0,9
1,2
1,5
1,8
2,1
2,4
2,7
0
1x10
-5
2x10
-5
3x10
-5
4x10
-5
E, eV
J, mA/sm
2
1
2
Рис.2. Спектральная зависимость фототока полученных образцов. 1 Si, 2. 
Si 
Таким образом экспериментально показано, что при последовательной 
диффузии элементов III и V групп в Si, получаются изменения параметров
фотопроводимости кристалла. Можно предполагать что происходит 
взаимодействии атомов B и P при последовательной диффузии. В настоящие 
время исследуется электрофизические и фотоэлектрические параметры 
полученных структур.