Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
169 
Исследовались 
экспериментально 
токовые 
характеристики 
полупроводниковых тонких аморфных пленок GаP, полученных испарением 
монокристаллического фосфида галлия в квазизамкнутом объеме. 
В качестве подложки, на которую наносились фоторезистивные слои
GаP, использовались силикатное стекло, покрытое оптически прозрачным 
электродом из SnO
2
. В зависимости от времени напыления материала
толщина пленок варьировалась от 0,1 до 1,2 мкм. Пленка из двуокиси олова 
служила тыловым электродом исследуемой сэндвич – структуры [1]. Другим 
(верхним) электродом служила прозрачная к падающему пучку электронов
пленка никеля или алюминия, нанесенная на структуру путем вакуумного 
напыления. Возбуждение пленки светом осуществлялось со стороны 
подложки через SnO
2, 
а пучком электронов – со стороны никеля или 
алюминия. В зависимости от температуры подложки Т
п
при конденсации 
пленки темновое сопротивление образцов изменялось в пределах от 10
3
Ом 
при Т
п
≥ 370 К до 10
13
Ом при Т
п
= 250 К. В интервале Т
п
= 320 ÷ 350 К
сопротивление резко падает (на 6-7 порядков). При Т = 300 К это 
сопротивление для образцов с площадью контактов S = 0.1 ÷ 1 1 см
2
, 
составляло R 10
8 
÷ 10
12
Ом, а удельное сопротивление = 10
15
÷ 10
16
Ом.см. Последнее соответствует подвижности µ 10
-4
÷ 10
-15
см
2
/ В.с для 
термически равновесной концентрации носителей n
o
(5.10
6
÷ 5.10
8
) см
-3
.
Были выбраны в качестве верхнего электрода Аl или Ni . Толщина 
напыленных электродов составляло d = 200 – 1000 А
0
, что намного меньше, 
чем толщина полупровод никового слоя до 1 мкм. 
Измерялись вольтамперные характеристики (ВАХ) при электронном 
возбуждение сэндвич структуры GаP, толщиной 0.16-0.54 мкм. Все кривые 
статических ВАХ [5] содержит три участка: омический (JV), степенной
(JV)
α
, где показатель степени α ≥2) и участок резкого роста (почти 
вертикального) роста тока. Исключение составляет темновая ВАХ, которая 
соответствует экспоненциальной зависимости тока от напряжения смещения.