Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 
Вольамперная характеристика GaP
 
пленочных структур в темноте, при 
освещении белым светом и при облучении пучком ускоренных электронов 
имеет вид, типичный для ТООЗ с квазинепрерывно распределенными по 
энергии ловушками, причем после омически линейного участка они 
содержат степенной участок J 
᷉ 
V
α
, где α = 2 в темноте и α = 1.8 ÷ 3 при 
электронном возбуждении, переходящий на участок почти вертикального 
роста при напряженностях 10
6 
В/см. При облучения структуры сквозь 
тонкий верхний электрод пучком электронов с энергией , достаточной для 
прохождения через вес слой полупроводника (Е=10 кэв), и плотностью
первичных тока электронов J
п 
10 мкА/см
2
. Сопротивление структуры 
уменьшалось на 3-4 порядка, свидетельствует о достаточно высокой 
эффективности генерации неравновесных носителей [2-3] 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
170 
Переход от омического участка к степенному происходит при 
напряжении порядка нескольких вольт и степенной участок переходит на 
участок быстрого роста тока при V=10 В, позволяет связать появление
неомических участков с токами, ограниченными объемным зарядом (ТООЗ)
[4] в диэлектрике, содержащем «мелкие» и «глубокие» ловушки. Поскольку 
пленки GаP были очень тонкими и высокоомными, можно было ожидать, 
что длина экранирования L
э
> d и переход к режиму ТООЗ должен 
осуществляется при очень малых напряжениях (оценки показывают, что 
даже при ρ = 10
11
Ом.см (предельные значения для ρ у нас были 10
15
÷10
16
Ом.см)) в наших пленках должно быть V
1
= 10
-5
В. 
Экспериментальные результаты хорошо описываются соотношением ln 
(ϳL) /L
2
которое характерно для случая ТООЗ в образце с однородным 
распределением ловушек в запрещенной зоне 
J qµn
oV / L
. ехр χ V /qN
t
kTL
2
Анализ физических процессов указывают , что ответственными за 
наблюдаемые характеристики были объемные , а не поверхностные свойства 
пленок GаP 
Обнаруженная высокая чувствительность пленок GaP к электронному 
возбуждению обусловлена сильным заполнением ловушек генерированными 
неравновесными носителями , вследствие чего происходит ; перезарядка 
уровней ловушек , усиление инжекции носителей из контакта , увеличение 
времени релаксации проводимости и уменьшение времени пролета носителей 
через образец 
Литература 
1.А.Бубнов Ю.З., Лурье М.С.,Тарос Ф.Г.,Филаретов Г.А., «Вакуумное 
нанесение пленок в квазизмкнутом объеме» Изд. «Советское радио»,1975 
2.Зарнипов А., Ибрагимов В.Ю.,Рубинов В.М., “Фоточувствительные пленки 
фосфида галлия» В кн. «Физические явления в полупроводниковых 
структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроники» Ташкент ,Фан 
1977,с63-67 
3.Аронов Д.А. Зарнипов А., Ибрагимов В.Ю.,Рубинов В.М.,Туйчиев М. 
Токовые характеристики и энергетический спектр уровней ловушек в 
фоточувствительных пленках фосфида галлия. Всесоюзная конференция 
по физики соединений А
3
В
5
Новосибирск 1981; Тезисы докладов , с 318-
319 
4. В.М.Рубинов, М.Туйчиев Physics Status Solidi (a) Investigation of the 
current characteristics on thin film structurtures based on GaP under the action 
of electron beam.1982,vol.69 p.k52-55.