Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
430 
расположения подложки на подставке, были получены три типа пленок. 
Первый тип пленок получился почти как графит (смесь графитовых (80-90%) 
и алмазных крупинок – мелких кристалликов (10-20%)). Второй тип пленок 
состоял в основном из неплотно упакованных алмазных кристалликов, но он 
был некачественным. Поэтому мы этих два типа пленок не будем 
рассматривать в этой работе. У третьего типа пленок алмазные 
микрокристаллы были расположены плотно упакованными и имели размеры 
зерен для подложек с кристаллическим направлением (100)~2.0-2.5 мкм 
(рис.1,
б
), а для подложек с направлением (111)–2.5-2.76 мкм (рис.2,
б
) . Такие 
пленки имели гладкую, зеркальную поверхность, и они были получены при 
следующих технологических условиях: температура накала 2100-2150

С, 
температура подложки 820-830

С, общий поток газовой смеси (СН
3
ОН+Н
2
) 
50-55 см
3
/мин, давление газа в реакторе 40-45 Тоrr. Концентрация метанола в 
газовой смеси задавалась путем регулирования температуры метанола в 
барботёре в пределах 33-35

С.
 
 
 

 
 
 
а)
б) 
Рис.1. Микрофотография поверхности алмазной пленки (
а
), 
выращенной на подложке с ориентацией (100) и вид с торца 
n
/Si – 
p
/С
алмаз
-гетероструктуры (
б
).
Фотоснимок сделан на электронном микроскопе Jeol JSM-5910LV.
Кроме того, для подтверждения роста алмазной пленки, были измерены 
спектры Раманского рассеяния в области энергий, соответствующих пикам 
алмаза (рис.3). Как видно из рис.3, в составе структуры имеется политип 
карбида кремния (SiC) 15R-SiC, что может повлиять на электрофизические 
свойства полученной 
n
/Si – 
p
/С
алмаз
-гетероструктуры, о чем будем 
останавливаться ниже.
Типы проводимости пленок были измерены как методом термозонда, так 
и методом Холла, при магнитных полях 5,5

10
3
Ersted, результаты которых 
показали дырочный тип проводимости. Подвижности электронов в пленках, 
при концентрациях носителей заряда 2

10
18
см
-3
имеют значения 130-160 
см
2
/(В

с), что находится в хорошем согласии с результатами работы [8] (135-
250 см
2
/(В

с). Это подтверждает достаточное совершенство полученных 
пленок и пригодность их для изготовления полупроводниковых приборов, в 

---